热加工工艺
熱加工工藝
열가공공예
HOT WORKING TECHNOLOGY
2012年
20期
212-214
,共3页
刘伟%王欣平%刘红宾%魏志飞
劉偉%王訢平%劉紅賓%魏誌飛
류위%왕흔평%류홍빈%위지비
均匀化退火%AlSi1%反偏析%宏观偏析%显微组织
均勻化退火%AlSi1%反偏析%宏觀偏析%顯微組織
균균화퇴화%AlSi1%반편석%굉관편석%현미조직
针对超高纯AlSi1铸锭存在的Si含量反偏析现象,尝试用530℃×8h均匀化退火以降低反偏析程度.采用电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)测量均匀化退火前后Si的质量分数,比较Si含量的变化；同时,采用光学显微镜、扫描电镜观察晶粒变化以及Si的状态、分布变化.结果表明,均匀化退火后晶粒变大,晶界连续、清晰；晶粒范围内Si固溶到基体中,重新析出呈细小均匀分布,宏观偏析(反偏析)程度有所降低,但不够明显；均匀化退火对抑制铸锭反偏析的效果并不理想.
針對超高純AlSi1鑄錠存在的Si含量反偏析現象,嘗試用530℃×8h均勻化退火以降低反偏析程度.採用電感耦閤等離子體髮射光譜儀(ICP-OES)測量均勻化退火前後Si的質量分數,比較Si含量的變化；同時,採用光學顯微鏡、掃描電鏡觀察晶粒變化以及Si的狀態、分佈變化.結果錶明,均勻化退火後晶粒變大,晶界連續、清晰；晶粒範圍內Si固溶到基體中,重新析齣呈細小均勻分佈,宏觀偏析(反偏析)程度有所降低,但不夠明顯；均勻化退火對抑製鑄錠反偏析的效果併不理想.
침대초고순AlSi1주정존재적Si함량반편석현상,상시용530℃×8h균균화퇴화이강저반편석정도.채용전감우합등리자체발사광보의(ICP-OES)측량균균화퇴화전후Si적질량분수,비교Si함량적변화；동시,채용광학현미경、소묘전경관찰정립변화이급Si적상태、분포변화.결과표명,균균화퇴화후정립변대,정계련속、청석；정립범위내Si고용도기체중,중신석출정세소균균분포,굉관편석(반편석)정도유소강저,단불구명현；균균화퇴화대억제주정반편석적효과병불이상.
