AlGaN/GaN异质结构欧姆接触的研制
AlGaN/GaN이질결구구모접촉적연제
Design and Fabrication of Ohmic Contact on AlGaN/GaN Heterostructure
  • 万方数据
    固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
    RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
    2004年 1期 142-144 ,共3页

    焦刚%曹春海%薛舫时%杨立杰%王泉慧%王柏年%金龙%张卫红%沈波%周玉刚%郑有炓

    초강%조춘해%설방시%양립걸%왕천혜%왕백년%금룡%장위홍%침파%주옥강%정유료

    氮化镓%欧姆接触%工艺兼容性 氮化鎵%歐姆接觸%工藝兼容性
    담화가%구모접촉%공예겸용성
    研究了GaN高温宽禁带半导体外延层上欧姆接触的制备工艺,讨论了几种测试方法的优缺点,并根据器件制作的工艺兼容性,在n-GaN样品上获得了4×10-6Ω·cm2的欧姆接触,在AlGaN/GaN异质结构样品上获得了4×10-4Ω·cm2的欧姆接触.实验结果表明,AlGaN/GaN上低阻欧姆接触的制备及其工艺兼容性是GaN HFET器件研制的技术难点.
    연구료GaN고온관금대반도체외연층상구모접촉적제비공예,토론료궤충측시방법적우결점,병근거기건제작적공예겸용성,재n-GaN양품상획득료4×10-6Ω·cm2적구모접촉,재AlGaN/GaN이질결구양품상획득료4×10-4Ω·cm2적구모접촉.실험결과표명,AlGaN/GaN상저조구모접촉적제비급기공예겸용성시GaN HFET기건연제적기술난점.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문