CAJ | 학술논문

推广和发展了一种二分掩膜方法,采用这种方法,使得通过n次实验可以既不重复也不遗漏地得到所用n种元素的所有可能组合,即2n个全不相同的芯片单元,并论证了其惟一性.对于离子束溅射沉积的CoAg薄膜,采用组合离子注入技术制备了由Fe、Mn、Ga、Cu 4种元素所组成的磁光芯片.在1T的恒定磁场条件下,系统地测试了芯片各单元在不同退火条件下的磁光克尔谱.结果表明,采用薄膜与组合离子注入相结合的方法,可以快速、有效、低成本地发现新型磁光存储颗粒膜材料候选体系.
추엄화발전료일충이분엄막방법,채용저충방법,사득통과n차실험가이기불중복야불유루지득도소용n충원소적소유가능조합,즉2n개전불상동적심편단원,병론증료기유일성.대우리자속천사침적적CoAg박막,채용조합리자주입기술제비료유Fe、Mn、Ga、Cu 4충원소소조성적자광심편.재1T적항정자장조건하,계통지측시료심편각단원재불동퇴화조건하적자광극이보.결과표명,채용박막여조합리자주입상결합적방법,가이쾌속、유효、저성본지발현신형자광존저과립막재료후선체계.