半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2004年
7期
14-17
,共4页
何良恩%凤坤%唐雪林%李刚
何良恩%鳳坤%唐雪林%李剛
하량은%봉곤%당설림%리강
RCA工艺%抛光硅片%清洗技术
RCA工藝%拋光硅片%清洗技術
RCA공예%포광규편%청세기술
研究了一种新颖的添加了表面活性剂和HF的RCA的改进工艺,并和标准RCA工艺与目前被广泛采用的稀释RCA工艺进行了比较后指出,改进工艺对金属沾污和表面颗粒的有效去除能力,使0.18um以上的颗粒能够控制在15颗以内,金属沾污能够有效降至109原子cm-2以下(Al略高小于1010cm-2).
研究瞭一種新穎的添加瞭錶麵活性劑和HF的RCA的改進工藝,併和標準RCA工藝與目前被廣汎採用的稀釋RCA工藝進行瞭比較後指齣,改進工藝對金屬霑汙和錶麵顆粒的有效去除能力,使0.18um以上的顆粒能夠控製在15顆以內,金屬霑汙能夠有效降至109原子cm-2以下(Al略高小于1010cm-2).
연구료일충신영적첨가료표면활성제화HF적RCA적개진공예,병화표준RCA공예여목전피엄범채용적희석RCA공예진행료비교후지출,개진공예대금속첨오화표면과립적유효거제능력,사0.18um이상적과립능구공제재15과이내,금속첨오능구유효강지109원자cm-2이하(Al략고소우1010cm-2).
