微电子学与计算机
微電子學與計算機
미전자학여계산궤
MICROELECTRONICS & COMPUTER
2004年
12期
214-216
,共3页
屠荆%罗晋生%杨荣%韩志宇%白树春
屠荊%囉晉生%楊榮%韓誌宇%白樹春
도형%라진생%양영%한지우%백수춘
半导体%断路开关%制作%测试
半導體%斷路開關%製作%測試
반도체%단로개관%제작%측시
本文描述了半导体断路开关(SOS)的制作及性能测试.制作方法采用普通二极管类似的扩散工艺,但其制作工艺的关键在于深结的扩散.在pn结足够深时才能产生SOS效应.描述了制作过程并采用脉冲电路测试了所研制的SOS器件的电学性能.测试结果表明所研制的样品性能达到了与国外水平.
本文描述瞭半導體斷路開關(SOS)的製作及性能測試.製作方法採用普通二極管類似的擴散工藝,但其製作工藝的關鍵在于深結的擴散.在pn結足夠深時纔能產生SOS效應.描述瞭製作過程併採用脈遲電路測試瞭所研製的SOS器件的電學性能.測試結果錶明所研製的樣品性能達到瞭與國外水平.
본문묘술료반도체단로개관(SOS)적제작급성능측시.제작방법채용보통이겁관유사적확산공예,단기제작공예적관건재우심결적확산.재pn결족구심시재능산생SOS효응.묘술료제작과정병채용맥충전로측시료소연제적SOS기건적전학성능.측시결과표명소연제적양품성능체도료여국외수평.
