半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
3期
563-565
,共3页
张萍%刘军林%郑畅达%江风益
張萍%劉軍林%鄭暢達%江風益
장평%류군림%정창체%강풍익
蓝光LED%GaN%Si衬底%快速老化%刻蚀%静电
藍光LED%GaN%Si襯底%快速老化%刻蝕%靜電
람광LED%GaN%Si츤저%쾌속노화%각식%정전
在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,将其转移到新的硅基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片.本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性.在切割成单个芯片之前,对尺寸为200μ×200μm的芯片分别通高达500mA的大电流在测试台上加速老化.结果表明:刻蚀深度为0.8和1.2μm的芯片相对于刻蚀深度为0.5μm的芯片,其正向电压更低且光强衰减更慢,抗静电性能随老化时间变得更稳定,刻蚀深度为0.8μm的芯片抗静电性能强于刻蚀深度为1.2μm的芯片.
在Si襯底上生長瞭GaN基LED外延材料,將其轉移到新的硅基闆上,製備瞭垂直結構藍光LED芯片.本文研究瞭這種芯片在不同n層刻蝕深度情況下的光電特性.在切割成單箇芯片之前,對呎吋為200μ×200μm的芯片分彆通高達500mA的大電流在測試檯上加速老化.結果錶明:刻蝕深度為0.8和1.2μm的芯片相對于刻蝕深度為0.5μm的芯片,其正嚮電壓更低且光彊衰減更慢,抗靜電性能隨老化時間變得更穩定,刻蝕深度為0.8μm的芯片抗靜電性能彊于刻蝕深度為1.2μm的芯片.
재Si츤저상생장료GaN기LED외연재료,장기전이도신적규기판상,제비료수직결구람광LED심편.본문연구료저충심편재불동n층각식심도정황하적광전특성.재절할성단개심편지전,대척촌위200μ×200μm적심편분별통고체500mA적대전류재측시태상가속노화.결과표명:각식심도위0.8화1.2μm적심편상대우각식심도위0.5μm적심편,기정향전압경저차광강쇠감경만,항정전성능수노화시간변득경은정,각식심도위0.8μm적심편항정전성능강우각식심도위1.2μm적심편.
