物理学报
物理學報
물이학보
2008年
5期
3260-3266
,共7页
冀子武%三野弘文%小嶋映二%秋本良一%嶽山正二郎
冀子武%三野弘文%小嶋映二%鞦本良一%嶽山正二郎
기자무%삼야홍문%소도영이%추본량일%악산정이랑
光致发光%二维电子气%带电激子%Ⅱ型量子阱
光緻髮光%二維電子氣%帶電激子%Ⅱ型量子阱
광치발광%이유전자기%대전격자%Ⅱ형양자정
报道了调制n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ型量子阱(type-ⅡQW)在极低温至室温(1.4-296K)条件下的各种光学性质.反射光谱显示了对于非掺杂样品,激子(X)的跃迁起着支配作用,而只有在掺杂样品的光谱里展示了一个典型的负的带电激子(X-)的跃迁特征.PL光谱及其直线偏振度P1都显著地依赖于n型掺杂量和平行于QW生长方向的外加电场.这个特征被认为是由n型掺杂导致了内秉电场(built-in electric field)消失及外加电场引起斯塔克效应(Stark effects)所致.还用外加电场方法证明了内秉电场的存在.超强磁场(高达180T)下的回旋共振(CR)测量证实了掺杂样品中确实存在着较高浓度的二维电子气,并且这些电子受限于ZnSe阱层中.以上实验结果显示在掺杂样品中同时观察到了Ⅰ型(空间直接)跃迁和Ⅱ型(空间间接)跃迁中的带电激子特征,同时也显示了所用样品达到了预期的设计目的.
報道瞭調製n型摻雜ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ型量子阱(type-ⅡQW)在極低溫至室溫(1.4-296K)條件下的各種光學性質.反射光譜顯示瞭對于非摻雜樣品,激子(X)的躍遷起著支配作用,而隻有在摻雜樣品的光譜裏展示瞭一箇典型的負的帶電激子(X-)的躍遷特徵.PL光譜及其直線偏振度P1都顯著地依賴于n型摻雜量和平行于QW生長方嚮的外加電場.這箇特徵被認為是由n型摻雜導緻瞭內秉電場(built-in electric field)消失及外加電場引起斯塔剋效應(Stark effects)所緻.還用外加電場方法證明瞭內秉電場的存在.超彊磁場(高達180T)下的迴鏇共振(CR)測量證實瞭摻雜樣品中確實存在著較高濃度的二維電子氣,併且這些電子受限于ZnSe阱層中.以上實驗結果顯示在摻雜樣品中同時觀察到瞭Ⅰ型(空間直接)躍遷和Ⅱ型(空間間接)躍遷中的帶電激子特徵,同時也顯示瞭所用樣品達到瞭預期的設計目的.
보도료조제n형참잡ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ형양자정(type-ⅡQW)재겁저온지실온(1.4-296K)조건하적각충광학성질.반사광보현시료대우비참잡양품,격자(X)적약천기착지배작용,이지유재참잡양품적광보리전시료일개전형적부적대전격자(X-)적약천특정.PL광보급기직선편진도P1도현저지의뢰우n형참잡량화평행우QW생장방향적외가전장.저개특정피인위시유n형참잡도치료내병전장(built-in electric field)소실급외가전장인기사탑극효응(Stark effects)소치.환용외가전장방법증명료내병전장적존재.초강자장(고체180T)하적회선공진(CR)측량증실료참잡양품중학실존재착교고농도적이유전자기,병차저사전자수한우ZnSe정층중.이상실험결과현시재참잡양품중동시관찰도료Ⅰ형(공간직접)약천화Ⅱ형(공간간접)약천중적대전격자특정,동시야현시료소용양품체도료예기적설계목적.
