电子科技
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전자과기
IT AGE
2009年
5期
66-68
,共3页
秦涛%何秀坤%董彦辉%李劼
秦濤%何秀坤%董彥輝%李劼
진도%하수곤%동언휘%리할
半导体SiC%电阻率%无接触测量%电容器
半導體SiC%電阻率%無接觸測量%電容器
반도체SiC%전조솔%무접촉측량%전용기
与很多测试方法一样,电阻率是通过流过电接触样品的电流,测出其电压下降值来测定的.文中通过对无接触和接触两种主要测试方法的研究对比,探讨了用电容式探测器对半绝缘半导体切片电阻率的无接触测定,并论述了其测试原理、测试所用电容器、测试条件、测试过程及结果计算.
與很多測試方法一樣,電阻率是通過流過電接觸樣品的電流,測齣其電壓下降值來測定的.文中通過對無接觸和接觸兩種主要測試方法的研究對比,探討瞭用電容式探測器對半絕緣半導體切片電阻率的無接觸測定,併論述瞭其測試原理、測試所用電容器、測試條件、測試過程及結果計算.
여흔다측시방법일양,전조솔시통과류과전접촉양품적전류,측출기전압하강치래측정적.문중통과대무접촉화접촉량충주요측시방법적연구대비,탐토료용전용식탐측기대반절연반도체절편전조솔적무접촉측정,병논술료기측시원리、측시소용전용기、측시조건、측시과정급결과계산.
