微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
4期
233-236
,共4页
王小飞%韩建强%宋美绚%严天宏
王小飛%韓建彊%宋美絢%嚴天宏
왕소비%한건강%송미현%엄천굉
氮化硅(SiNx)薄膜%等离子化学气相淀积(PECVD)%纳米压痕%杨氏模量%硬度
氮化硅(SiNx)薄膜%等離子化學氣相澱積(PECVD)%納米壓痕%楊氏模量%硬度
담화규(SiNx)박막%등리자화학기상정적(PECVD)%납미압흔%양씨모량%경도
等离子增强化学气相淀积(PECVD)法制备的氮化硅薄膜具有沉积温度低、生长速率高和残余应力可调节等特点,研究其力学特性对研制MEMS器件和系统具有重要意义.采用HQ-2型PECVD淀积台,在沉积温度为350℃,NH3流量为30 cm3/min的条件下,通过改变氩气稀释至5%的SiH4流量和射频功率大小,制备了具有压应力、微应力和张应力的多种氮化硅薄膜样品.采用纳米压痕仪Nanoidenter-G200对淀积薄膜的杨氏模量和硬度进行测试,结果表明,在较小的SiH4流量和较高的射频功率条件下,淀积的氮化硅薄膜具有更高的杨氏模量和硬度.
等離子增彊化學氣相澱積(PECVD)法製備的氮化硅薄膜具有沉積溫度低、生長速率高和殘餘應力可調節等特點,研究其力學特性對研製MEMS器件和繫統具有重要意義.採用HQ-2型PECVD澱積檯,在沉積溫度為350℃,NH3流量為30 cm3/min的條件下,通過改變氬氣稀釋至5%的SiH4流量和射頻功率大小,製備瞭具有壓應力、微應力和張應力的多種氮化硅薄膜樣品.採用納米壓痕儀Nanoidenter-G200對澱積薄膜的楊氏模量和硬度進行測試,結果錶明,在較小的SiH4流量和較高的射頻功率條件下,澱積的氮化硅薄膜具有更高的楊氏模量和硬度.
등리자증강화학기상정적(PECVD)법제비적담화규박막구유침적온도저、생장속솔고화잔여응력가조절등특점,연구기역학특성대연제MEMS기건화계통구유중요의의.채용HQ-2형PECVD정적태,재침적온도위350℃,NH3류량위30 cm3/min적조건하,통과개변아기희석지5%적SiH4류량화사빈공솔대소,제비료구유압응력、미응력화장응력적다충담화규박막양품.채용납미압흔의Nanoidenter-G200대정적박막적양씨모량화경도진행측시,결과표명,재교소적SiH4류량화교고적사빈공솔조건하,정적적담화규박막구유경고적양씨모량화경도.
