微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2012年
1期
45-49
,共5页
陈海燕%陈长鑫%戴振清%杨志%魏良明%徐东%张亚非
陳海燕%陳長鑫%戴振清%楊誌%魏良明%徐東%張亞非
진해연%진장흠%대진청%양지%위량명%서동%장아비
碳纳米管%场效应器件%气体传感器%解吸附%SiO2/Si
碳納米管%場效應器件%氣體傳感器%解吸附%SiO2/Si
탄납미관%장효응기건%기체전감기%해흡부%SiO2/Si
基于单壁碳纳米管(SWCNT)的场效应气体传感器由于具有传感性能好、体积小、室温操作和加偏压自我解吸附等优良性能,有着广泛的应用前景.利用单壁碳纳米管自组装技术在SiO2/Si基底上制备均匀分布的SWCNT薄膜,将其作为沟道制作了具有灵敏开关特性的场效应晶体管(FET),该FET器件的开关比达到105.将此FET器件作为气体传感芯片用于甲基膦酸二甲酯(DMMP)气体分子的检测.结果显示,当通入DMMP气体时,器件的阈值电压向负栅电压方向移动.当DMMP体积分数为5×10-6,栅压为-10V时,器件的灵敏度达到32％,响应时间为300 s.在15 V的栅压下器件能够很快地实现气体解吸附.
基于單壁碳納米管(SWCNT)的場效應氣體傳感器由于具有傳感性能好、體積小、室溫操作和加偏壓自我解吸附等優良性能,有著廣汎的應用前景.利用單壁碳納米管自組裝技術在SiO2/Si基底上製備均勻分佈的SWCNT薄膜,將其作為溝道製作瞭具有靈敏開關特性的場效應晶體管(FET),該FET器件的開關比達到105.將此FET器件作為氣體傳感芯片用于甲基膦痠二甲酯(DMMP)氣體分子的檢測.結果顯示,噹通入DMMP氣體時,器件的閾值電壓嚮負柵電壓方嚮移動.噹DMMP體積分數為5×10-6,柵壓為-10V時,器件的靈敏度達到32％,響應時間為300 s.在15 V的柵壓下器件能夠很快地實現氣體解吸附.
기우단벽탄납미관(SWCNT)적장효응기체전감기유우구유전감성능호、체적소、실온조작화가편압자아해흡부등우량성능,유착엄범적응용전경.이용단벽탄납미관자조장기술재SiO2/Si기저상제비균균분포적SWCNT박막,장기작위구도제작료구유령민개관특성적장효응정체관(FET),해FET기건적개관비체도105.장차FET기건작위기체전감심편용우갑기련산이갑지(DMMP)기체분자적검측.결과현시,당통입DMMP기체시,기건적역치전압향부책전압방향이동.당DMMP체적분수위5×10-6,책압위-10V시,기건적령민도체도32％,향응시간위300 s.재15 V적책압하기건능구흔쾌지실현기체해흡부.
