固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2004年
1期
26-30,43
,共6页
彭龙新%林金庭%魏同立%陈效建%刘军霞%贺文彪
彭龍新%林金庭%魏同立%陳效建%劉軍霞%賀文彪
팽룡신%림금정%위동립%진효건%류군하%하문표
微波单片集成电路%低噪声%可变增益%赝配高电子迁移率晶体管
微波單片集成電路%低譟聲%可變增益%贗配高電子遷移率晶體管
미파단편집성전로%저조성%가변증익%안배고전자천이솔정체관
报道了一种微波宽带GaAs单片可变增益低噪声放大器芯片.该芯片采用南京电子器件研究所φ76mm圆片0.5 μm PHEMT标准工艺制作而成.工作频率范围为2～8 GHz,在零衰减时,整个带内增益大于25dB,噪声系数最大为3.5 dB,增益平坦度小于±0.75dB,输入驻波小于2.0,输出驻波小于2.5,输出功率大于10dBm.放大器增益可控大于30 dB.实验发现,芯片具有良好的温度特性.该芯片面积为3.6 mm×2.2 mm.
報道瞭一種微波寬帶GaAs單片可變增益低譟聲放大器芯片.該芯片採用南京電子器件研究所φ76mm圓片0.5 μm PHEMT標準工藝製作而成.工作頻率範圍為2～8 GHz,在零衰減時,整箇帶內增益大于25dB,譟聲繫數最大為3.5 dB,增益平坦度小于±0.75dB,輸入駐波小于2.0,輸齣駐波小于2.5,輸齣功率大于10dBm.放大器增益可控大于30 dB.實驗髮現,芯片具有良好的溫度特性.該芯片麵積為3.6 mm×2.2 mm.
보도료일충미파관대GaAs단편가변증익저조성방대기심편.해심편채용남경전자기건연구소φ76mm원편0.5 μm PHEMT표준공예제작이성.공작빈솔범위위2～8 GHz,재령쇠감시,정개대내증익대우25dB,조성계수최대위3.5 dB,증익평탄도소우±0.75dB,수입주파소우2.0,수출주파소우2.5,수출공솔대우10dBm.방대기증익가공대우30 dB.실험발현,심편구유량호적온도특성.해심편면적위3.6 mm×2.2 mm.
