功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2006年
3期
192-196
,共5页
李群%梁坚%黎定国%邓玲娜%吴雪梅%诸葛兰剑
李群%樑堅%黎定國%鄧玲娜%吳雪梅%諸葛蘭劍
리군%량견%려정국%산령나%오설매%제갈란검
非晶SiOx:C薄膜%荧光%光谱
非晶SiOx:C薄膜%熒光%光譜
비정SiOx:C박막%형광%광보
采用双离子束溅射法制备了SiOx:C非晶薄膜,在室温下可观察到薄膜样品有强的420nm(紫光)、470nm(蓝绿光)的光致发光(PL).分别对样品在不同温度下退火后,PL测试显示随着退火温度的升高420nm处的峰带逐渐增强变为强的发光峰;470nm处的发光峰位来自于硅基薄膜中富硅引起的中性氧空位缺陷(O3≡Si-Si≡O3),是由与氧原子配位的二价硅的单态-单态之间的跃迁所致;420nm范围的峰带可能来自于薄膜中由C单质、以及Si、O、C三者组成的一个复杂结构.
採用雙離子束濺射法製備瞭SiOx:C非晶薄膜,在室溫下可觀察到薄膜樣品有彊的420nm(紫光)、470nm(藍綠光)的光緻髮光(PL).分彆對樣品在不同溫度下退火後,PL測試顯示隨著退火溫度的升高420nm處的峰帶逐漸增彊變為彊的髮光峰;470nm處的髮光峰位來自于硅基薄膜中富硅引起的中性氧空位缺陷(O3≡Si-Si≡O3),是由與氧原子配位的二價硅的單態-單態之間的躍遷所緻;420nm範圍的峰帶可能來自于薄膜中由C單質、以及Si、O、C三者組成的一箇複雜結構.
채용쌍리자속천사법제비료SiOx:C비정박막,재실온하가관찰도박막양품유강적420nm(자광)、470nm(람록광)적광치발광(PL).분별대양품재불동온도하퇴화후,PL측시현시수착퇴화온도적승고420nm처적봉대축점증강변위강적발광봉;470nm처적발광봉위래자우규기박막중부규인기적중성양공위결함(O3≡Si-Si≡O3),시유여양원자배위적이개규적단태-단태지간적약천소치;420nm범위적봉대가능래자우박막중유C단질、이급Si、O、C삼자조성적일개복잡결구.
