航空兵器
航空兵器
항공병기
HANGKONG BINGQI
2006年
5期
52-53,56
,共3页
GaN%欧姆接触%接触电阻率
GaN%歐姆接觸%接觸電阻率
GaN%구모접촉%접촉전조솔
实现欧姆接触是获得高性能GaN探测器的基本要求之一.p型GaN上优良的欧姆接触比n型GaN上的难于实现.本文介绍了利用金属 Au、Cr/Au在p型GaN材料上做了接触性能研究,通过退火等实验获得了较理想的欧姆接触,测试后计算出Au、Cr/Au与 p型GaN材料间的接触电阻率分别为7.88×10-2 Ω·cm2 和1.94×10-2 Ω·cm2.
實現歐姆接觸是穫得高性能GaN探測器的基本要求之一.p型GaN上優良的歐姆接觸比n型GaN上的難于實現.本文介紹瞭利用金屬 Au、Cr/Au在p型GaN材料上做瞭接觸性能研究,通過退火等實驗穫得瞭較理想的歐姆接觸,測試後計算齣Au、Cr/Au與 p型GaN材料間的接觸電阻率分彆為7.88×10-2 Ω·cm2 和1.94×10-2 Ω·cm2.
실현구모접촉시획득고성능GaN탐측기적기본요구지일.p형GaN상우량적구모접촉비n형GaN상적난우실현.본문개소료이용금속 Au、Cr/Au재p형GaN재료상주료접촉성능연구,통과퇴화등실험획득료교이상적구모접촉,측시후계산출Au、Cr/Au여 p형GaN재료간적접촉전조솔분별위7.88×10-2 Ω·cm2 화1.94×10-2 Ω·cm2.
