真空
真空
진공
VACUUM
2011年
1期
29-32
,共4页
CuInS2粉末%真空烧结%CuInS2薄膜%单源热蒸发
CuInS2粉末%真空燒結%CuInS2薄膜%單源熱蒸髮
CuInS2분말%진공소결%CuInS2박막%단원열증발
本文以烧结合成的CuInS2粉末为原料,采用单源热蒸发技术在玻璃基底上沉积CuInS2薄膜.随着退火温度的升高,薄膜的结晶性能增强,表现出高度的(112)晶面择优取向,SEM观察显示:350℃退火后,薄膜致密,晶粒细小,大小为数十纳米.同时,热探针测试发现:薄膜的导电类型为弱N型.光学性能方面,当退火温度高于250℃时,CuInS2薄膜的禁带宽度为1.50eV,接近吸收太阳光谱所需的理想禁带宽度值.
本文以燒結閤成的CuInS2粉末為原料,採用單源熱蒸髮技術在玻璃基底上沉積CuInS2薄膜.隨著退火溫度的升高,薄膜的結晶性能增彊,錶現齣高度的(112)晶麵擇優取嚮,SEM觀察顯示:350℃退火後,薄膜緻密,晶粒細小,大小為數十納米.同時,熱探針測試髮現:薄膜的導電類型為弱N型.光學性能方麵,噹退火溫度高于250℃時,CuInS2薄膜的禁帶寬度為1.50eV,接近吸收太暘光譜所需的理想禁帶寬度值.
본문이소결합성적CuInS2분말위원료,채용단원열증발기술재파리기저상침적CuInS2박막.수착퇴화온도적승고,박막적결정성능증강,표현출고도적(112)정면택우취향,SEM관찰현시:350℃퇴화후,박막치밀,정립세소,대소위수십납미.동시,열탐침측시발현:박막적도전류형위약N형.광학성능방면,당퇴화온도고우250℃시,CuInS2박막적금대관도위1.50eV,접근흡수태양광보소수적이상금대관도치.
