杭州电子科技大学学报
杭州電子科技大學學報
항주전자과기대학학보
JOURNAL OF HANGZHOU DIANZI UNIVERSITY
2011年
3期
1-4
,共4页
铝镓氮/氮化镓%高电子迁移率晶体管%自加热效应%热分析
鋁鎵氮/氮化鎵%高電子遷移率晶體管%自加熱效應%熱分析
려가담/담화가%고전자천이솔정체관%자가열효응%열분석
该文从泊松方程、连续性方程和晶格热方程出发,采用商用TCAD软件建立A1GaN/GaNHEMT器件二维模型.针对自加热效应,在不同的直流偏置电压下,对AlGaN/GaN HEMT器件进行了二维数值分析,获得相应的热形貌分布.
該文從泊鬆方程、連續性方程和晶格熱方程齣髮,採用商用TCAD軟件建立A1GaN/GaNHEMT器件二維模型.針對自加熱效應,在不同的直流偏置電壓下,對AlGaN/GaN HEMT器件進行瞭二維數值分析,穫得相應的熱形貌分佈.
해문종박송방정、련속성방정화정격열방정출발,채용상용TCAD연건건립A1GaN/GaNHEMT기건이유모형.침대자가열효응,재불동적직류편치전압하,대AlGaN/GaN HEMT기건진행료이유수치분석,획득상응적열형모분포.
