半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
7期
1230-1235
,共6页
揣荣岩%刘晓为%霍明学%宋明浩%王喜莲%潘慧艳
揣榮巖%劉曉為%霍明學%宋明浩%王喜蓮%潘慧豔
췌영암%류효위%곽명학%송명호%왕희련%반혜염
多晶硅%纳米薄膜%压阻特性%隧道效应%应变系数
多晶硅%納米薄膜%壓阻特性%隧道效應%應變繫數
다정규%납미박막%압조특성%수도효응%응변계수
为有效利用多晶硅纳米薄膜研制MEMS压阻器件,本文对LPCVD多晶硅纳米薄膜应变系数与掺硼浓度的关系进行了研究,并利用扫描电镜和X射线衍射实验分析了薄膜的结构特点.结果表明:在重掺杂情况下,纳米薄膜的应变系数明显大于相同掺杂浓度下单晶硅的应变系数,而且掺杂浓度在2.5×1020cm-3左右时,应变系数具有随掺杂浓度升高而增大的趋势.对这种实验结果依据隧道效应原理进行了理论解释,提出了多晶硅压阻特性的修正模型.
為有效利用多晶硅納米薄膜研製MEMS壓阻器件,本文對LPCVD多晶硅納米薄膜應變繫數與摻硼濃度的關繫進行瞭研究,併利用掃描電鏡和X射線衍射實驗分析瞭薄膜的結構特點.結果錶明:在重摻雜情況下,納米薄膜的應變繫數明顯大于相同摻雜濃度下單晶硅的應變繫數,而且摻雜濃度在2.5×1020cm-3左右時,應變繫數具有隨摻雜濃度升高而增大的趨勢.對這種實驗結果依據隧道效應原理進行瞭理論解釋,提齣瞭多晶硅壓阻特性的脩正模型.
위유효이용다정규납미박막연제MEMS압조기건,본문대LPCVD다정규납미박막응변계수여참붕농도적관계진행료연구,병이용소묘전경화X사선연사실험분석료박막적결구특점.결과표명:재중참잡정황하,납미박막적응변계수명현대우상동참잡농도하단정규적응변계수,이차참잡농도재2.5×1020cm-3좌우시,응변계수구유수참잡농도승고이증대적추세.대저충실험결과의거수도효응원리진행료이론해석,제출료다정규압조특성적수정모형.
