电子显微学报
電子顯微學報
전자현미학보
JOURNAL OF CHINESE ELECTRON MICROSCOPY SOCIETY
2010年
2期
123-128
,共6页
王中平%张增明%仓桥光纪%铃木拓%丁泽军%山内泰
王中平%張增明%倉橋光紀%鈴木拓%丁澤軍%山內泰
왕중평%장증명%창교광기%령목탁%정택군%산내태
原子光刻%掩模%自组装单分子层
原子光刻%掩模%自組裝單分子層
원자광각%엄모%자조장단분자층
选取不同尺寸和形状的物理掩模,以硅表面直接生长的十八烷基硅烷小分子自组装单分子层作为抗蚀剂,硅(100)为衬底,亚稳态氦原子作为曝光源,利用湿法化学刻蚀方法在衬底上制备具有纳米尺寸分辨率的硅结构图形.基于扫描电子显微镜、原子力显微镜的表征结果表明:原子光刻技术可以把具有纳米尺度分辨率的正负图形通过化学湿法刻蚀技术很好地传递到硅片衬底上,特征边缘分辨率达到20 nm左右,具有较高的可信度和可重复性.正负图形相互转化的临界曝光原子剂量约为5×1014 atoms cm-2,曝光时间约为20 min.
選取不同呎吋和形狀的物理掩模,以硅錶麵直接生長的十八烷基硅烷小分子自組裝單分子層作為抗蝕劑,硅(100)為襯底,亞穩態氦原子作為曝光源,利用濕法化學刻蝕方法在襯底上製備具有納米呎吋分辨率的硅結構圖形.基于掃描電子顯微鏡、原子力顯微鏡的錶徵結果錶明:原子光刻技術可以把具有納米呎度分辨率的正負圖形通過化學濕法刻蝕技術很好地傳遞到硅片襯底上,特徵邊緣分辨率達到20 nm左右,具有較高的可信度和可重複性.正負圖形相互轉化的臨界曝光原子劑量約為5×1014 atoms cm-2,曝光時間約為20 min.
선취불동척촌화형상적물리엄모,이규표면직접생장적십팔완기규완소분자자조장단분자층작위항식제,규(100)위츤저,아은태양원자작위폭광원,이용습법화학각식방법재츤저상제비구유납미척촌분변솔적규결구도형.기우소묘전자현미경、원자력현미경적표정결과표명:원자광각기술가이파구유납미척도분변솔적정부도형통과화학습법각식기술흔호지전체도규편츤저상,특정변연분변솔체도20 nm좌우,구유교고적가신도화가중복성.정부도형상호전화적림계폭광원자제량약위5×1014 atoms cm-2,폭광시간약위20 min.
