电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2010年
9期
38-40,48
,共4页
秦永伟%赵金茹%王春栋%李俊
秦永偉%趙金茹%王春棟%李俊
진영위%조금여%왕춘동%리준
选择比%有源区腐蚀%正交优化实验法
選擇比%有源區腐蝕%正交優化實驗法
선택비%유원구부식%정교우화실험법
文章基于Precision 5000等离子刻蚀技术,运用正交优化实验法,控制由LPCVD制备的Si3N4膜层对SiO2的选择比,对0.5μm有源区腐蚀工艺进行优化.运用minitab软件获得选择此的主效应图、效应的Pareto图、正态概率图,并讨论O2、Ar,CHF3气体对选择比的影响,最终获得各气体成分的最佳配比.实验结果表明有源区腐蚀中通过提高过腐蚀中Si3N4对SiO2的选择比来减少SiO2的损失,可以成功地将SiO2的损失控制在合理范围内,且腐蚀后平面、剖面形貌等各种参数符合产品要求.
文章基于Precision 5000等離子刻蝕技術,運用正交優化實驗法,控製由LPCVD製備的Si3N4膜層對SiO2的選擇比,對0.5μm有源區腐蝕工藝進行優化.運用minitab軟件穫得選擇此的主效應圖、效應的Pareto圖、正態概率圖,併討論O2、Ar,CHF3氣體對選擇比的影響,最終穫得各氣體成分的最佳配比.實驗結果錶明有源區腐蝕中通過提高過腐蝕中Si3N4對SiO2的選擇比來減少SiO2的損失,可以成功地將SiO2的損失控製在閤理範圍內,且腐蝕後平麵、剖麵形貌等各種參數符閤產品要求.
문장기우Precision 5000등리자각식기술,운용정교우화실험법,공제유LPCVD제비적Si3N4막층대SiO2적선택비,대0.5μm유원구부식공예진행우화.운용minitab연건획득선택차적주효응도、효응적Pareto도、정태개솔도,병토론O2、Ar,CHF3기체대선택비적영향,최종획득각기체성분적최가배비.실험결과표명유원구부식중통과제고과부식중Si3N4대SiO2적선택비래감소SiO2적손실,가이성공지장SiO2적손실공제재합리범위내,차부식후평면、부면형모등각충삼수부합산품요구.
