高电压技术
高電壓技術
고전압기술
HIGH VOLTAGE ENGINEERING
2011年
2期
375-381
,共7页
满梦华%巨政权%原青云%周永学%原亮%刘尚合
滿夢華%巨政權%原青雲%週永學%原亮%劉尚閤
만몽화%거정권%원청운%주영학%원량%류상합
电磁仿生%静电放电%现场可编程逻辑门阵列%故障模型%虚拟细胞%可靠性%马尔科夫模型
電磁倣生%靜電放電%現場可編程邏輯門陣列%故障模型%虛擬細胞%可靠性%馬爾科伕模型
전자방생%정전방전%현장가편정라집문진렬%고장모형%허의세포%가고성%마이과부모형
随着半导体制造工艺水平和电路集成度的不断提高,加之电磁环境日趋复杂、多变,使得应用于电子系统的传统电磁防护和抗扰方式的不足正日渐突出,导致典型现场可编程逻辑门阵列(FPGA)芯片的电磁抗扰度逐渐下降.以广泛应用的FPGA为研究对象,针对典型近场危害源静电放电(ESD)的防护问题,利用试验方法模拟人ESD注入FPGA芯片对其内部电路造成损伤的过程,建它FPGA受ESD损伤的行为级故障模型,结果表明,电子系统与生物系统受损过程具有某些相似的规律.进而基于电磁仿生学的思想,设计了具有冗余机制和结构自组织功能的虚拟细胞模型,利用遗传算法实现故障自修复的功能.最后利用马尔可夫模型分析其稳态可用度,证明在随机ESD事件频繁发生并导致电路损伤时,此模型仍能保持较高的可用度和安全性.
隨著半導體製造工藝水平和電路集成度的不斷提高,加之電磁環境日趨複雜、多變,使得應用于電子繫統的傳統電磁防護和抗擾方式的不足正日漸突齣,導緻典型現場可編程邏輯門陣列(FPGA)芯片的電磁抗擾度逐漸下降.以廣汎應用的FPGA為研究對象,針對典型近場危害源靜電放電(ESD)的防護問題,利用試驗方法模擬人ESD註入FPGA芯片對其內部電路造成損傷的過程,建它FPGA受ESD損傷的行為級故障模型,結果錶明,電子繫統與生物繫統受損過程具有某些相似的規律.進而基于電磁倣生學的思想,設計瞭具有冗餘機製和結構自組織功能的虛擬細胞模型,利用遺傳算法實現故障自脩複的功能.最後利用馬爾可伕模型分析其穩態可用度,證明在隨機ESD事件頻繁髮生併導緻電路損傷時,此模型仍能保持較高的可用度和安全性.
수착반도체제조공예수평화전로집성도적불단제고,가지전자배경일추복잡、다변,사득응용우전자계통적전통전자방호화항우방식적불족정일점돌출,도치전형현장가편정라집문진렬(FPGA)심편적전자항우도축점하강.이엄범응용적FPGA위연구대상,침대전형근장위해원정전방전(ESD)적방호문제,이용시험방법모의인ESD주입FPGA심편대기내부전로조성손상적과정,건타FPGA수ESD손상적행위급고장모형,결과표명,전자계통여생물계통수손과정구유모사상사적규률.진이기우전자방생학적사상,설계료구유용여궤제화결구자조직공능적허의세포모형,이용유전산법실현고장자수복적공능.최후이용마이가부모형분석기은태가용도,증명재수궤ESD사건빈번발생병도치전로손상시,차모형잉능보지교고적가용도화안전성.