微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2005年
1期
5-7
,共3页
胡梅丽%赖宗声%茅惠兵%忻佩胜%沈德新
鬍梅麗%賴宗聲%茅惠兵%忻珮勝%瀋德新
호매려%뢰종성%모혜병%흔패성%침덕신
聚酰亚胺%牺牲层%固化%刻蚀%MEMS开关
聚酰亞胺%犧牲層%固化%刻蝕%MEMS開關
취선아알%희생층%고화%각식%MEMS개관
目前,聚酰亚胺已成为MEMS开关中一种主要的牺牲层材料.在涂胶前,对聚酰亚胺进行低温和高温两步热处理,使其满足光刻的要求.光刻腐蚀后固化处理,使其固化表面平坦、耐腐蚀.显影后选择不同固化处理温度和时间,对聚酰亚胺的性质有不同的影响.MEMS开关的梁结构完成后,聚酰亚胺需通过刻蚀的方法去除.实验结果表明,固化温度小于170℃,可采用碱性溶液湿法腐蚀的方法去除;固化温度大于200℃,需采用O2等离子刻蚀方法.
目前,聚酰亞胺已成為MEMS開關中一種主要的犧牲層材料.在塗膠前,對聚酰亞胺進行低溫和高溫兩步熱處理,使其滿足光刻的要求.光刻腐蝕後固化處理,使其固化錶麵平坦、耐腐蝕.顯影後選擇不同固化處理溫度和時間,對聚酰亞胺的性質有不同的影響.MEMS開關的樑結構完成後,聚酰亞胺需通過刻蝕的方法去除.實驗結果錶明,固化溫度小于170℃,可採用堿性溶液濕法腐蝕的方法去除;固化溫度大于200℃,需採用O2等離子刻蝕方法.
목전,취선아알이성위MEMS개관중일충주요적희생층재료.재도효전,대취선아알진행저온화고온량보열처리,사기만족광각적요구.광각부식후고화처리,사기고화표면평탄、내부식.현영후선택불동고화처리온도화시간,대취선아알적성질유불동적영향.MEMS개관적량결구완성후,취선아알수통과각식적방법거제.실험결과표명,고화온도소우170℃,가채용감성용액습법부식적방법거제;고화온도대우200℃,수채용O2등리자각식방법.
