半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
12期
2184-2189
,共6页
反馈式ECL记忆门的记忆性能%D锁存器%主从D触发器%5进制移位型计数器
反饋式ECL記憶門的記憶性能%D鎖存器%主從D觸髮器%5進製移位型計數器
반궤식ECL기억문적기억성능%D쇄존기%주종D촉발기%5진제이위형계수기
经过数学论证表明,改进反馈式ECL(MFECL)门可在二个状态中任一态保持稳定,所以认为MFECL门就是一种ECL记忆门或D锁存器.提出了一种由两个ECL记忆门组成的ECL主从D触发器.在上述理论基础上,利用此主从D触发器设计出5进制移位型计数器.经过计算机模拟上述电路,验证了理论和电路的正确性.
經過數學論證錶明,改進反饋式ECL(MFECL)門可在二箇狀態中任一態保持穩定,所以認為MFECL門就是一種ECL記憶門或D鎖存器.提齣瞭一種由兩箇ECL記憶門組成的ECL主從D觸髮器.在上述理論基礎上,利用此主從D觸髮器設計齣5進製移位型計數器.經過計算機模擬上述電路,驗證瞭理論和電路的正確性.
경과수학론증표명,개진반궤식ECL(MFECL)문가재이개상태중임일태보지은정,소이인위MFECL문취시일충ECL기억문혹D쇄존기.제출료일충유량개ECL기억문조성적ECL주종D촉발기.재상술이론기출상,이용차주종D촉발기설계출5진제이위형계수기.경과계산궤모의상술전로,험증료이론화전로적정학성.
