InGaN/GaN MQW双波长LED的MOCVD生长
InGaN/GaN MQW쌍파장LED적MOCVD생장
Dual-wavelength InGaN/GaN MQW LEDs Grown by MOCVD
  • 万方数据
    半导体光电 반도체광전
    SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
    2007年 3期 349-353 ,共5页

    沈光地%张念国%刘建平%牛南辉%李彤%邢艳辉%林巧明%郭霞

    침광지%장념국%류건평%우남휘%리동%형염휘%림교명%곽하

    InGaN量子阱%双波长LED%MOCVD InGaN量子阱%雙波長LED%MOCVD
    InGaN양자정%쌍파장LED%MOCVD
    利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统生长了InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管(LED).发现在20 mA正向注入电流下空穴很难输运过蓝光和绿光量子阱间的垒层,这是混合量子阱有源区获得双波长发光的主要障碍.通过掺入一定量的In来降低蓝光和绿光量子阱之间的垒层的势垒高度,增加注入到离p-GaN层较远的绿光有源区的空穴浓度,从而改变蓝光和绿光发光峰的强度比.研究了蓝光和绿光量子阱间垒层In组分对双波长LED的发光性质的影响.此外,研究了双波长LED发光特性随注入电流的变化.
    이용금속유궤물화학기상정적(MOCVD)계통생장료InGaN/GaN다양자정쌍파장발광이겁관(LED).발현재20 mA정향주입전류하공혈흔난수운과람광화록광양자정간적루층,저시혼합양자정유원구획득쌍파장발광적주요장애.통과참입일정량적In래강저람광화록광양자정지간적루층적세루고도,증가주입도리p-GaN층교원적록광유원구적공혈농도,종이개변람광화록광발광봉적강도비.연구료람광화록광양자정간루층In조분대쌍파장LED적발광성질적영향.차외,연구료쌍파장LED발광특성수주입전류적변화.
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