光电子技术
光電子技術
광전자기술
OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY
2007年
4期
228-230,234
,共4页
钱淑冰%胡国华%恽斌峰%崔一平
錢淑冰%鬍國華%惲斌峰%崔一平
전숙빙%호국화%운빈봉%최일평
光集成器件%聚合物光波导%封装%抛光
光集成器件%聚閤物光波導%封裝%拋光
광집성기건%취합물광파도%봉장%포광
主要研究如何在不损伤聚合物的前提下,实现聚合物波导的端面处理,即对端面的研磨和抛光.由于硅材料和聚合物材料的物理特性差别,除了要选择好特定的抛光材料以外,在抛光时还要特别控制抛光速度和抛光时间:速度过快会造成硅片"塌边"和损坏聚合物膜.试验结果表明:抛光速度在50 r/min以上很容易造成损伤;速度在20 r/min左右的抛光效果较理想.抛光时间不够则不能达到抛光要求.
主要研究如何在不損傷聚閤物的前提下,實現聚閤物波導的耑麵處理,即對耑麵的研磨和拋光.由于硅材料和聚閤物材料的物理特性差彆,除瞭要選擇好特定的拋光材料以外,在拋光時還要特彆控製拋光速度和拋光時間:速度過快會造成硅片"塌邊"和損壞聚閤物膜.試驗結果錶明:拋光速度在50 r/min以上很容易造成損傷;速度在20 r/min左右的拋光效果較理想.拋光時間不夠則不能達到拋光要求.
주요연구여하재불손상취합물적전제하,실현취합물파도적단면처리,즉대단면적연마화포광.유우규재료화취합물재료적물리특성차별,제료요선택호특정적포광재료이외,재포광시환요특별공제포광속도화포광시간:속도과쾌회조성규편"탑변"화손배취합물막.시험결과표명:포광속도재50 r/min이상흔용역조성손상;속도재20 r/min좌우적포광효과교이상.포광시간불구칙불능체도포광요구.
