材料研究学报
材料研究學報
재료연구학보
CHINESE JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH
2008年
1期
37-41
,共5页
郑海务%苏剑峰%顾玉宗%张杨%傅竹西
鄭海務%囌劍峰%顧玉宗%張楊%傅竹西
정해무%소검봉%고옥종%장양%부죽서
无机非金属材料%6H-SiC薄膜%低压CVD%蓝宝石%微结构
無機非金屬材料%6H-SiC薄膜%低壓CVD%藍寶石%微結構
무궤비금속재료%6H-SiC박막%저압CVD%람보석%미결구
采用低压化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上异质外延生长出高结晶质量和良好表面形貌的6H-SiC薄膜,研究了CsHs气体流速对薄膜结晶质量的影响.随着C3Hs气体流速的降低,薄膜的结晶质量先增加后降低,表明薄膜的生长在开始阶段受表面反应控制,而后受质量输运控制.所得到的结晶质量最好的6H-SiC薄膜,其摇摆曲线半高宽为0.6°,已经达到单晶水平.没有使用A1N过渡层,制备出结晶质量更好的SiC薄膜,表明对于蓝宝石衬底上SiC薄膜的生长,起决定性因素的是温度,过渡层不是影响SiC薄膜结晶质量的主要因素.
採用低壓化學氣相沉積方法在C麵藍寶石襯底上異質外延生長齣高結晶質量和良好錶麵形貌的6H-SiC薄膜,研究瞭CsHs氣體流速對薄膜結晶質量的影響.隨著C3Hs氣體流速的降低,薄膜的結晶質量先增加後降低,錶明薄膜的生長在開始階段受錶麵反應控製,而後受質量輸運控製.所得到的結晶質量最好的6H-SiC薄膜,其搖襬麯線半高寬為0.6°,已經達到單晶水平.沒有使用A1N過渡層,製備齣結晶質量更好的SiC薄膜,錶明對于藍寶石襯底上SiC薄膜的生長,起決定性因素的是溫度,過渡層不是影響SiC薄膜結晶質量的主要因素.
채용저압화학기상침적방법재C면람보석츤저상이질외연생장출고결정질량화량호표면형모적6H-SiC박막,연구료CsHs기체류속대박막결정질량적영향.수착C3Hs기체류속적강저,박막적결정질량선증가후강저,표명박막적생장재개시계단수표면반응공제,이후수질량수운공제.소득도적결정질량최호적6H-SiC박막,기요파곡선반고관위0.6°,이경체도단정수평.몰유사용A1N과도층,제비출결정질량경호적SiC박막,표명대우람보석츤저상SiC박막적생장,기결정성인소적시온도,과도층불시영향SiC박막결정질량적주요인소.
