半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
4期
785-788
,共4页
邓和清%林桂江%赖虹凯%李成%陈松岩%余金中
鄧和清%林桂江%賴虹凱%李成%陳鬆巖%餘金中
산화청%림계강%뢰홍개%리성%진송암%여금중
张应变%锗硅量子阱%红外探测器
張應變%鍺硅量子阱%紅外探測器
장응변%타규양자정%홍외탐측기
提出P型张应变Si/SiGe量子阱红外探测器(QWIP)结构,应用k·P方法计算应变Si/SiGe量子阱价带能带结构和应变SiGe合金空穴有效质量.结果表明量子阱中引入张应变使轻重空穴反转,基态为有效质量较小的轻空穴态,因此P型张应变Si/SiGe QWIP与n型QWIP相比具有更低的暗电流;而与P型压应变或无应变QWIP相比光吸收和载流子输运特性具有较好改善.在此基础上讨论了束缚态到准束缚态子带跃迁型张应变p-Si/SiGe QWIP的优化设计.
提齣P型張應變Si/SiGe量子阱紅外探測器(QWIP)結構,應用k·P方法計算應變Si/SiGe量子阱價帶能帶結構和應變SiGe閤金空穴有效質量.結果錶明量子阱中引入張應變使輕重空穴反轉,基態為有效質量較小的輕空穴態,因此P型張應變Si/SiGe QWIP與n型QWIP相比具有更低的暗電流;而與P型壓應變或無應變QWIP相比光吸收和載流子輸運特性具有較好改善.在此基礎上討論瞭束縳態到準束縳態子帶躍遷型張應變p-Si/SiGe QWIP的優化設計.
제출P형장응변Si/SiGe양자정홍외탐측기(QWIP)결구,응용k·P방법계산응변Si/SiGe양자정개대능대결구화응변SiGe합금공혈유효질량.결과표명양자정중인입장응변사경중공혈반전,기태위유효질량교소적경공혈태,인차P형장응변Si/SiGe QWIP여n형QWIP상비구유경저적암전류;이여P형압응변혹무응변QWIP상비광흡수화재류자수운특성구유교호개선.재차기출상토론료속박태도준속박태자대약천형장응변p-Si/SiGe QWIP적우화설계.
