半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
5期
589-593
,共5页
康香宁%宋国峰%叶晓军%侯识华%陈良惠
康香寧%宋國峰%葉曉軍%侯識華%陳良惠
강향저%송국봉%협효군%후식화%진량혜
AlxGa1-xAs湿氮选择氧化%微区光致发光谱%垂直腔面发射激光器
AlxGa1-xAs濕氮選擇氧化%微區光緻髮光譜%垂直腔麵髮射激光器
AlxGa1-xAs습담선택양화%미구광치발광보%수직강면발사격광기
针对可见光垂直腔面发射激光器的制备,通过湿氮氧化实验和测量微区光致发光谱分别研究了高铝组分AlxGa1-xAs的氧化特性及氧化产物的收缩应力对有源区的影响,结合器件结构设计确定了氧化限制层AlxGa1-x-As的铝组分和最佳位置,并制备出了低阈值电流的AlGaInP系垂直腔面发射激光器.
針對可見光垂直腔麵髮射激光器的製備,通過濕氮氧化實驗和測量微區光緻髮光譜分彆研究瞭高鋁組分AlxGa1-xAs的氧化特性及氧化產物的收縮應力對有源區的影響,結閤器件結構設計確定瞭氧化限製層AlxGa1-x-As的鋁組分和最佳位置,併製備齣瞭低閾值電流的AlGaInP繫垂直腔麵髮射激光器.
침대가견광수직강면발사격광기적제비,통과습담양화실험화측량미구광치발광보분별연구료고려조분AlxGa1-xAs적양화특성급양화산물적수축응력대유원구적영향,결합기건결구설계학정료양화한제층AlxGa1-x-As적려조분화최가위치,병제비출료저역치전류적AlGaInP계수직강면발사격광기.
