辽宁大学学报（自然科学版）
遼寧大學學報（自然科學版）
료녕대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF LIAONING UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2010年
1期
11-14
,共4页
郑英兰%王颖%钟玲%吴春瑜
鄭英蘭%王穎%鐘玲%吳春瑜
정영란%왕영%종령%오춘유
斜角造型器件%半绝缘多晶硅%漏电流%钝化
斜角造型器件%半絕緣多晶硅%漏電流%鈍化
사각조형기건%반절연다정규%루전류%둔화
本文采用直流辉光放电法在台面功率半导体器件上生长SIPOS钝化膜.研究结果表明,SIPOS钝化的功率器件性能要好于聚酰亚胺钝化的功率器件,可以有效地提高功率器件的可靠性.基于此提出了SIPOS/PI复合钝化结构来改善台面功率半导体器件的表面特性.
本文採用直流輝光放電法在檯麵功率半導體器件上生長SIPOS鈍化膜.研究結果錶明,SIPOS鈍化的功率器件性能要好于聚酰亞胺鈍化的功率器件,可以有效地提高功率器件的可靠性.基于此提齣瞭SIPOS/PI複閤鈍化結構來改善檯麵功率半導體器件的錶麵特性.
본문채용직류휘광방전법재태면공솔반도체기건상생장SIPOS둔화막.연구결과표명,SIPOS둔화적공솔기건성능요호우취선아알둔화적공솔기건,가이유효지제고공솔기건적가고성.기우차제출료SIPOS/PI복합둔화결구래개선태면공솔반도체기건적표면특성.
