电子技术
電子技術
전자기술
ELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
5期
79-81
,共3页
肖小虎%高珊%陈军宁%柯导明
肖小虎%高珊%陳軍寧%柯導明
초소호%고산%진군저%가도명
横向扩散金属氧化物半导体%多晶硅场板%表面电场%表面电势
橫嚮擴散金屬氧化物半導體%多晶硅場闆%錶麵電場%錶麵電勢
횡향확산금속양화물반도체%다정규장판%표면전장%표면전세
本文提出了LDMOS器件漂移区电场分布和电势分布的二维解析模型,并在此基础上得出了LDMOS漂移区电势分布和电场分布的解析表达式.通过表达式的结果,研究了多晶硅场板的长度和位置对于器件表面电场和电势的影响,解析结果与MEDICI结果相符.
本文提齣瞭LDMOS器件漂移區電場分佈和電勢分佈的二維解析模型,併在此基礎上得齣瞭LDMOS漂移區電勢分佈和電場分佈的解析錶達式.通過錶達式的結果,研究瞭多晶硅場闆的長度和位置對于器件錶麵電場和電勢的影響,解析結果與MEDICI結果相符.
본문제출료LDMOS기건표이구전장분포화전세분포적이유해석모형,병재차기출상득출료LDMOS표이구전세분포화전장분포적해석표체식.통과표체식적결과,연구료다정규장판적장도화위치대우기건표면전장화전세적영향,해석결과여MEDICI결과상부.
