人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2004年
5期
776-780
,共5页
骆英民%马剑刚%徐海阳%刘益春%钟殿强%齐秀英
駱英民%馬劍剛%徐海暘%劉益春%鐘殿彊%齊秀英
락영민%마검강%서해양%류익춘%종전강%제수영
ZnO:Al薄膜%电子束蒸镀%退火%Van der Pauw法%光致发光谱
ZnO:Al薄膜%電子束蒸鍍%退火%Van der Pauw法%光緻髮光譜
ZnO:Al박막%전자속증도%퇴화%Van der Pauw법%광치발광보
采用电子束蒸镀方法在Si(100)衬底上沉积了ZnO:Al(ZAO)薄膜.在氧气气氛下对ZnO:Al薄膜进行了退火处理,退火温度的范围为400～800℃.X射线衍射(XRD)图样表明所制备的ZnO:Al薄膜具有六方结构,为c轴(002)择优取向的多晶薄膜.用Van der Pauw法测量了ZAO薄膜的电学特性,结果显示其电导率在500℃达到最大值.测量了ZAO薄膜的室温微区光致发光和变温发光光谱,观测到了ZnO自由激子、束缚在中性施主中心(D0)上的束缚激子以及束缚在离化施主中心(D+0)上的束缚激子发射.
採用電子束蒸鍍方法在Si(100)襯底上沉積瞭ZnO:Al(ZAO)薄膜.在氧氣氣氛下對ZnO:Al薄膜進行瞭退火處理,退火溫度的範圍為400～800℃.X射線衍射(XRD)圖樣錶明所製備的ZnO:Al薄膜具有六方結構,為c軸(002)擇優取嚮的多晶薄膜.用Van der Pauw法測量瞭ZAO薄膜的電學特性,結果顯示其電導率在500℃達到最大值.測量瞭ZAO薄膜的室溫微區光緻髮光和變溫髮光光譜,觀測到瞭ZnO自由激子、束縳在中性施主中心(D0)上的束縳激子以及束縳在離化施主中心(D+0)上的束縳激子髮射.
채용전자속증도방법재Si(100)츤저상침적료ZnO:Al(ZAO)박막.재양기기분하대ZnO:Al박막진행료퇴화처리,퇴화온도적범위위400～800℃.X사선연사(XRD)도양표명소제비적ZnO:Al박막구유륙방결구,위c축(002)택우취향적다정박막.용Van der Pauw법측량료ZAO박막적전학특성,결과현시기전도솔재500℃체도최대치.측량료ZAO박막적실온미구광치발광화변온발광광보,관측도료ZnO자유격자、속박재중성시주중심(D0)상적속박격자이급속박재리화시주중심(D+0)상적속박격자발사.
