半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
7期
505-509
,共5页
吴甲奇%李文佳%席曦%王振交%季静佳%顾晓峰%李果华
吳甲奇%李文佳%席晞%王振交%季靜佳%顧曉峰%李果華
오갑기%리문가%석희%왕진교%계정가%고효봉%리과화
有机太阳电池%小分子材料%ZnPc/C60结构%光强%光伏性能
有機太暘電池%小分子材料%ZnPc/C60結構%光彊%光伏性能
유궤태양전지%소분자재료%ZnPc/C60결구%광강%광복성능
采用真空蒸镀的方法,制备了ZnPc (40 nm) /C60 (20 nm)结构的电池,重点研究了不同光强测试条件下,ZnPc/C60电池光伏性能的变化情况.发现开路电压(Voc)和填充因子(FF)随光强呈现对数式的变化趋势,前者逐渐上升而后者则下降,短路电流与光强的关系为Jsc∝ E~1.13,电池的功率转换效率(η)随光强稳步上升.拟合计算得到电池的理想因子n=1.93;100 mW/cm2辐照条件下,R,=25Ω,Rsh = 116Ω;分析认为,器件的准费密能级分裂程度随光强增强而增大是导致开路电压增大的原因;而Jsc-E强于正比关系则是C 60产生激子对电流有辅助贡献的结果.
採用真空蒸鍍的方法,製備瞭ZnPc (40 nm) /C60 (20 nm)結構的電池,重點研究瞭不同光彊測試條件下,ZnPc/C60電池光伏性能的變化情況.髮現開路電壓(Voc)和填充因子(FF)隨光彊呈現對數式的變化趨勢,前者逐漸上升而後者則下降,短路電流與光彊的關繫為Jsc∝ E~1.13,電池的功率轉換效率(η)隨光彊穩步上升.擬閤計算得到電池的理想因子n=1.93;100 mW/cm2輻照條件下,R,=25Ω,Rsh = 116Ω;分析認為,器件的準費密能級分裂程度隨光彊增彊而增大是導緻開路電壓增大的原因;而Jsc-E彊于正比關繫則是C 60產生激子對電流有輔助貢獻的結果.
채용진공증도적방법,제비료ZnPc (40 nm) /C60 (20 nm)결구적전지,중점연구료불동광강측시조건하,ZnPc/C60전지광복성능적변화정황.발현개로전압(Voc)화전충인자(FF)수광강정현대수식적변화추세,전자축점상승이후자칙하강,단로전류여광강적관계위Jsc∝ E~1.13,전지적공솔전환효솔(η)수광강은보상승.의합계산득도전지적이상인자n=1.93;100 mW/cm2복조조건하,R,=25Ω,Rsh = 116Ω;분석인위,기건적준비밀능급분렬정도수광강증강이증대시도치개로전압증대적원인;이Jsc-E강우정비관계칙시C 60산생격자대전류유보조공헌적결과.
