利用迁移率谱技术研究p型碲镉汞材料
이용천이솔보기술연구p형제력홍재료
Study on p-type HgCdTe single crystals by mobility spectrum analysis
  • 万方数据
    红外与毫米波学报 홍외여호미파학보
    JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
    2011年 4期 301-304 ,共4页

    张可锋%林铁%王妮丽%王仍%焦翠灵%林杏潮%张莉萍%李向阳

    장가봉%림철%왕니려%왕잉%초취령%림행조%장리평%리향양

    碲镉汞%磁输运%迁移率谱%自然氧化 碲鎘汞%磁輸運%遷移率譜%自然氧化
    제력홍%자수운%천이솔보%자연양화
    窄禁带碲镉汞(HgCdTe)是电子和空穴混合导电的多载流子体系材料,特别是对于p材料,由于电子和空穴的迁移率相差大约两个数量级(b=μe/μh≈102),更容易受到少数载流子电子的干扰,因此单一磁场的霍尔测试无法准确有效地给出p型材料的电学参数.通过变温变磁场的霍尔测试对p型HgCdTe材料的磁输运特性进行了测试,结合迁移率谱技术确定了材料中各种载流子的迁移率,并给出了它们对电导的相对贡献,以及自然氧化对样品中各种载流子的影响.
    착금대제력홍(HgCdTe)시전자화공혈혼합도전적다재류자체계재료,특별시대우p재료,유우전자화공혈적천이솔상차대약량개수량급(b=μe/μh≈102),경용역수도소수재류자전자적간우,인차단일자장적곽이측시무법준학유효지급출p형재료적전학삼수.통과변온변자장적곽이측시대p형HgCdTe재료적자수운특성진행료측시,결합천이솔보기술학정료재료중각충재류자적천이솔,병급출료타문대전도적상대공헌,이급자연양화대양품중각충재류자적영향.
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