一种新型SOIMach-Zehnder干涉型电光调制器的设计
일충신형SOIMach-Zehnder간섭형전광조제기적설계
Design of a Novel Mach-Zehnder Interference Electrooptical Modulator in Silicon-on-insulator
  • 万方数据
    光子学报 광자학보
    ACTA PHOTONICA SINICA
    2003年 5期 555-558 ,共4页

    严清峰%余金中

    엄청봉%여금중

    电光调制器%等离子色散效应%SOI%多模干涉耦合器%Mach-Zehnder干涉 電光調製器%等離子色散效應%SOI%多模榦涉耦閤器%Mach-Zehnder榦涉
    전광조제기%등리자색산효응%SOI%다모간섭우합기%Mach-Zehnder간섭
    在超紧缩双曲锥形3 dB多模干涉耦合器的基础上,设计了一种新的Silicon-on-insulator (SOI) Mach-Zehnder干涉型电光调制器.与传统的Y分支器相比,双曲锥形3 dB耦合器的制作容差大,而长度缩短了近30%,使得整个器件的尺寸大幅减小.调制区采用横向注入的PIN结构,模拟结果表明:当外加偏压为0.86 V时,器件的调制深度最大,此时注入电流为13.2 mA,对应的器件功耗为11.4 mW.
    재초긴축쌍곡추형3 dB다모간섭우합기적기출상,설계료일충신적Silicon-on-insulator (SOI) Mach-Zehnder간섭형전광조제기.여전통적Y분지기상비,쌍곡추형3 dB우합기적제작용차대,이장도축단료근30%,사득정개기건적척촌대폭감소.조제구채용횡향주입적PIN결구,모의결과표명:당외가편압위0.86 V시,기건적조제심도최대,차시주입전류위13.2 mA,대응적기건공모위11.4 mW.
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