中国科学技术大学学报
中國科學技術大學學報
중국과학기술대학학보
JOURNAL OF UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
2003年
6期
683-687
,共5页
王丽玉%谢家纯%胡林辉%王克彦
王麗玉%謝傢純%鬍林輝%王剋彥
왕려옥%사가순%호림휘%왕극언
宽禁带%SiC%肖特基%光谱响应%UV探测
寬禁帶%SiC%肖特基%光譜響應%UV探測
관금대%SiC%초특기%광보향응%UV탐측
采用宽禁带半导体n-4H-SiC和金属Au作肖特基接触,TiNiAg合金作背底形成欧姆接触,研制出Au/n-4H-SiC肖特基紫外探测器.测试分析了该器件的光谱响应特性:响应范围为200～400 nm之间;在室温无偏压下,响应峰值在310 nm处,响应半宽为85 nm.同时测试分析了该器件的I-V特性:在室温下,正向开启电压为0.8 V,反向击穿电压大于200 V,反向漏电流小于10-100A;工作温度大于250℃.实验表明,Au/n-4H-SiC肖特基紫外探测器具有很好的紫外响应特性和很低的反向漏电流.
採用寬禁帶半導體n-4H-SiC和金屬Au作肖特基接觸,TiNiAg閤金作揹底形成歐姆接觸,研製齣Au/n-4H-SiC肖特基紫外探測器.測試分析瞭該器件的光譜響應特性:響應範圍為200～400 nm之間;在室溫無偏壓下,響應峰值在310 nm處,響應半寬為85 nm.同時測試分析瞭該器件的I-V特性:在室溫下,正嚮開啟電壓為0.8 V,反嚮擊穿電壓大于200 V,反嚮漏電流小于10-100A;工作溫度大于250℃.實驗錶明,Au/n-4H-SiC肖特基紫外探測器具有很好的紫外響應特性和很低的反嚮漏電流.
채용관금대반도체n-4H-SiC화금속Au작초특기접촉,TiNiAg합금작배저형성구모접촉,연제출Au/n-4H-SiC초특기자외탐측기.측시분석료해기건적광보향응특성:향응범위위200～400 nm지간;재실온무편압하,향응봉치재310 nm처,향응반관위85 nm.동시측시분석료해기건적I-V특성:재실온하,정향개계전압위0.8 V,반향격천전압대우200 V,반향루전류소우10-100A;공작온도대우250℃.실험표명,Au/n-4H-SiC초특기자외탐측기구유흔호적자외향응특성화흔저적반향루전류.
