中国科学G辑
中國科學G輯
중국과학G집
SCIENCE IN CHINA(SERIES G)
2004年
3期
279-289
,共11页
胡跃辉%陈光华%吴越颖%阴生毅%高卓%王青%宋雪梅%邓金祥
鬍躍輝%陳光華%吳越穎%陰生毅%高卓%王青%宋雪梅%鄧金祥
호약휘%진광화%오월영%음생의%고탁%왕청%송설매%산금상
氢化非晶硅薄膜氢含量%红外透射谱%摇摆模和伸缩模%基线拟合
氫化非晶硅薄膜氫含量%紅外透射譜%搖襬模和伸縮模%基線擬閤
경화비정규박막경함량%홍외투사보%요파모화신축모%기선의합
研究了用氢化非晶硅薄膜红外透射谱的摇摆模和伸缩模计算氢含量的两种方法,分析了这两种方法在计算薄膜氢含量时引起差别的原因.理论推导及实验结果表明,若将SiH2和(SiH2)n含量大小用结构因子F=(I840+I880)/I2000来表示,则在F值较小的情况下,薄膜折射率接近3.4或拟合厚度值d=0.71~0.89μm时,两种计算方法得到的氢含量很接近.研究还发现,制备工艺对薄膜的键结构及组分有很大的影响,不同的制备方法薄膜中形成的SiH2和(SiH2)n含量不同,F值大的样品均匀性差(表现为这些样品实测厚度值与拟合厚度值有较大的差异); 同时在这种情况下,两种方法计算得到它们的氢含量值相差较大,但CAT CVD辅助MWECR CVD制备方法,能有效地抑制SiH2和(SiH2)n的形成.
研究瞭用氫化非晶硅薄膜紅外透射譜的搖襬模和伸縮模計算氫含量的兩種方法,分析瞭這兩種方法在計算薄膜氫含量時引起差彆的原因.理論推導及實驗結果錶明,若將SiH2和(SiH2)n含量大小用結構因子F=(I840+I880)/I2000來錶示,則在F值較小的情況下,薄膜摺射率接近3.4或擬閤厚度值d=0.71~0.89μm時,兩種計算方法得到的氫含量很接近.研究還髮現,製備工藝對薄膜的鍵結構及組分有很大的影響,不同的製備方法薄膜中形成的SiH2和(SiH2)n含量不同,F值大的樣品均勻性差(錶現為這些樣品實測厚度值與擬閤厚度值有較大的差異); 同時在這種情況下,兩種方法計算得到它們的氫含量值相差較大,但CAT CVD輔助MWECR CVD製備方法,能有效地抑製SiH2和(SiH2)n的形成.
연구료용경화비정규박막홍외투사보적요파모화신축모계산경함량적량충방법,분석료저량충방법재계산박막경함량시인기차별적원인.이론추도급실험결과표명,약장SiH2화(SiH2)n함량대소용결구인자F=(I840+I880)/I2000래표시,칙재F치교소적정황하,박막절사솔접근3.4혹의합후도치d=0.71~0.89μm시,량충계산방법득도적경함량흔접근.연구환발현,제비공예대박막적건결구급조분유흔대적영향,불동적제비방법박막중형성적SiH2화(SiH2)n함량불동,F치대적양품균균성차(표현위저사양품실측후도치여의합후도치유교대적차이); 동시재저충정황하,량충방법계산득도타문적경함량치상차교대,단CAT CVD보조MWECR CVD제비방법,능유효지억제SiH2화(SiH2)n적형성.
