人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2005年
4期
725-728
,共4页
张万松%徐孝镇%孙为%周广刚%冯金波
張萬鬆%徐孝鎮%孫為%週廣剛%馮金波
장만송%서효진%손위%주엄강%풍금파
Czochralski方法%KMgF3晶体%Ar气体环境
Czochralski方法%KMgF3晶體%Ar氣體環境
Czochralski방법%KMgF3정체%Ar기체배경
先把KF和MgF2 以1:1摩尔比混合后在Ar气体环境中650℃的恒温下烧结成KMgF3化合物.然后仍在Ar气体环境中用Czochralski方法生长了KMgF3:Cr2+、KMgF3:Eu2+、KMgF3:Sm2+ 等无色、透明的优质单晶体.并分析了能够成功地生长优质氟化物晶体的各个关键环节.
先把KF和MgF2 以1:1摩爾比混閤後在Ar氣體環境中650℃的恆溫下燒結成KMgF3化閤物.然後仍在Ar氣體環境中用Czochralski方法生長瞭KMgF3:Cr2+、KMgF3:Eu2+、KMgF3:Sm2+ 等無色、透明的優質單晶體.併分析瞭能夠成功地生長優質氟化物晶體的各箇關鍵環節.
선파KF화MgF2 이1:1마이비혼합후재Ar기체배경중650℃적항온하소결성KMgF3화합물.연후잉재Ar기체배경중용Czochralski방법생장료KMgF3:Cr2+、KMgF3:Eu2+、KMgF3:Sm2+ 등무색、투명적우질단정체.병분석료능구성공지생장우질불화물정체적각개관건배절.
