微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2006年
5期
601-603
,共3页
王玉东%徐阳%张伟%李希有%刘爱华
王玉東%徐暘%張偉%李希有%劉愛華
왕옥동%서양%장위%리희유%류애화
SiGe HBT%欧拉电压%硼外扩散
SiGe HBT%歐拉電壓%硼外擴散
SiGe HBT%구랍전압%붕외확산
欧拉电压是SiGe HBT一项重要的直流参数,受到基区结构(如Ge组分)的影响.研究发现,高温过程会导致硼的外扩散,从而影响异质结的位置,使欧拉电压受到影响.实验发现,通过优化基区结构,加厚CB结处i-SiGe厚度,可获得VA=520 V,βVA=164,320 V的SiGe HBT.
歐拉電壓是SiGe HBT一項重要的直流參數,受到基區結構(如Ge組分)的影響.研究髮現,高溫過程會導緻硼的外擴散,從而影響異質結的位置,使歐拉電壓受到影響.實驗髮現,通過優化基區結構,加厚CB結處i-SiGe厚度,可穫得VA=520 V,βVA=164,320 V的SiGe HBT.
구랍전압시SiGe HBT일항중요적직류삼수,수도기구결구(여Ge조분)적영향.연구발현,고온과정회도치붕적외확산,종이영향이질결적위치,사구랍전압수도영향.실험발현,통과우화기구결구,가후CB결처i-SiGe후도,가획득VA=520 V,βVA=164,320 V적SiGe HBT.
