半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2006年
10期
766-769,781
,共5页
封国强%蔡坚%王水弟%贾松良
封國彊%蔡堅%王水弟%賈鬆良
봉국강%채견%왕수제%가송량
硅垂直互连%阻挡层%化学镀
硅垂直互連%阻擋層%化學鍍
규수직호련%조당층%화학도
采用KOH刻蚀工艺制作硅垂直互连用通孔,淀积SiO2作为硅垂直互连的电绝缘层,溅射Ti和Cu分别作为Cu互连线的黏附层/扩散阻挡层和电镀种子层.电镀10μm厚的Cu作为硅垂直互连的导电层.为实现金属布线的图形化,在已有垂直互连的硅片上试验了干膜光刻工艺.采用化学镀工艺,在Cu互连线上沉积150～200 nm厚的NiMoP薄膜作为防止Cu腐蚀和Cu向其上层介质扩散的覆盖层.高温退火验证了Ti阻挡层和NiMoP覆盖层的可靠性.
採用KOH刻蝕工藝製作硅垂直互連用通孔,澱積SiO2作為硅垂直互連的電絕緣層,濺射Ti和Cu分彆作為Cu互連線的黏附層/擴散阻擋層和電鍍種子層.電鍍10μm厚的Cu作為硅垂直互連的導電層.為實現金屬佈線的圖形化,在已有垂直互連的硅片上試驗瞭榦膜光刻工藝.採用化學鍍工藝,在Cu互連線上沉積150～200 nm厚的NiMoP薄膜作為防止Cu腐蝕和Cu嚮其上層介質擴散的覆蓋層.高溫退火驗證瞭Ti阻擋層和NiMoP覆蓋層的可靠性.
채용KOH각식공예제작규수직호련용통공,정적SiO2작위규수직호련적전절연층,천사Ti화Cu분별작위Cu호련선적점부층/확산조당층화전도충자층.전도10μm후적Cu작위규수직호련적도전층.위실현금속포선적도형화,재이유수직호련적규편상시험료간막광각공예.채용화학도공예,재Cu호련선상침적150～200 nm후적NiMoP박막작위방지Cu부식화Cu향기상층개질확산적복개층.고온퇴화험증료Ti조당층화NiMoP복개층적가고성.
