半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
5期
397-401
,共5页
舒斌%张鹤鸣%任冬玲%王伟
舒斌%張鶴鳴%任鼕玲%王偉
서빈%장학명%임동령%왕위
异质结互补金属氧化物半导体场效应晶体管%应变Si%应变SiGe%垂直层叠
異質結互補金屬氧化物半導體場效應晶體管%應變Si%應變SiGe%垂直層疊
이질결호보금속양화물반도체장효응정체관%응변Si%응변SiGe%수직층첩
提出了一种应变Si/SiGe异质结CMOS结构,采用张应变Si作n-MOSFET沟道,压应变SiGe作p-MOSFET沟道,n-MOSFET与p-MOSFET采用垂直层叠结构,二者共用一个多晶SiGe栅电极.分析了该结构的电学特性与器件的几何结构参数和材料物理参数的关系,而且还给出了这种器件结构作为反相器的一个应用,模拟了其传输特性.结果表明所设计的垂直层叠共栅结构应变Si/SiGe HCMOS结构合理、器件性能提高.
提齣瞭一種應變Si/SiGe異質結CMOS結構,採用張應變Si作n-MOSFET溝道,壓應變SiGe作p-MOSFET溝道,n-MOSFET與p-MOSFET採用垂直層疊結構,二者共用一箇多晶SiGe柵電極.分析瞭該結構的電學特性與器件的幾何結構參數和材料物理參數的關繫,而且還給齣瞭這種器件結構作為反相器的一箇應用,模擬瞭其傳輸特性.結果錶明所設計的垂直層疊共柵結構應變Si/SiGe HCMOS結構閤理、器件性能提高.
제출료일충응변Si/SiGe이질결CMOS결구,채용장응변Si작n-MOSFET구도,압응변SiGe작p-MOSFET구도,n-MOSFET여p-MOSFET채용수직층첩결구,이자공용일개다정SiGe책전겁.분석료해결구적전학특성여기건적궤하결구삼수화재료물리삼수적관계,이차환급출료저충기건결구작위반상기적일개응용,모의료기전수특성.결과표명소설계적수직층첩공책결구응변Si/SiGe HCMOS결구합리、기건성능제고.
