半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
5期
936-939
,共4页
林涛%李青民%李连碧%杨莺%陈治明
林濤%李青民%李連碧%楊鶯%陳治明
림도%리청민%리련벽%양앵%진치명
碳化硅%化学气相沉积%异质外延%透射电子显微镜
碳化硅%化學氣相沉積%異質外延%透射電子顯微鏡
탄화규%화학기상침적%이질외연%투사전자현미경
以SiH4和C3H8为反应源,在1250℃下,采用低压热壁化学气相淀积法在6H-SiC衬底上异质外延生长了3C-siC薄膜.扫描电镜和原子力显微镜测试结果显示,样品表面光滑、无明显岛状结构物质.剖面透射电镜照片显示SiC外延层致密均匀、界面平整,厚度约为50nm.高分辨透射电镜结果显示,衬底与外延层分别为排列整齐的6H-SiC结构和3C-SiC结构,两者过渡平坦、界面处无其他晶型.选区电子衍射花样标定结果再次说明外延薄膜为闪锌矿结构的3C-SiC,计算的晶格常数为0.4362nm.
以SiH4和C3H8為反應源,在1250℃下,採用低壓熱壁化學氣相澱積法在6H-SiC襯底上異質外延生長瞭3C-siC薄膜.掃描電鏡和原子力顯微鏡測試結果顯示,樣品錶麵光滑、無明顯島狀結構物質.剖麵透射電鏡照片顯示SiC外延層緻密均勻、界麵平整,厚度約為50nm.高分辨透射電鏡結果顯示,襯底與外延層分彆為排列整齊的6H-SiC結構和3C-SiC結構,兩者過渡平坦、界麵處無其他晶型.選區電子衍射花樣標定結果再次說明外延薄膜為閃鋅礦結構的3C-SiC,計算的晶格常數為0.4362nm.
이SiH4화C3H8위반응원,재1250℃하,채용저압열벽화학기상정적법재6H-SiC츤저상이질외연생장료3C-siC박막.소묘전경화원자력현미경측시결과현시,양품표면광활、무명현도상결구물질.부면투사전경조편현시SiC외연층치밀균균、계면평정,후도약위50nm.고분변투사전경결과현시,츤저여외연층분별위배렬정제적6H-SiC결구화3C-SiC결구,량자과도평탄、계면처무기타정형.선구전자연사화양표정결과재차설명외연박막위섬자광결구적3C-SiC,계산적정격상수위0.4362nm.
