液晶与显示
液晶與顯示
액정여현시
CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS
2009年
1期
66-70
,共5页
酞菁铜%半导体厚度%载流子迁移率
酞菁銅%半導體厚度%載流子遷移率
태정동%반도체후도%재류자천이솔
用十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰了不同厚度的酞菁铜(CuPc)有机薄膜晶体管器件, 对比酞菁铜厚度为15、40、80 nm的3种器件性能后,得到40 nm的酞菁铜器件具有最高载流子迁移率.分析了OTS修饰的绝缘层表面对器件性能的影响,得到的40 nm厚度酞菁铜器件载流子迁移率为4.3×10-3cm2/V*s, 阈值电压为-9.5 V.
用十八烷基三氯硅烷(OTS)脩飾瞭不同厚度的酞菁銅(CuPc)有機薄膜晶體管器件, 對比酞菁銅厚度為15、40、80 nm的3種器件性能後,得到40 nm的酞菁銅器件具有最高載流子遷移率.分析瞭OTS脩飾的絕緣層錶麵對器件性能的影響,得到的40 nm厚度酞菁銅器件載流子遷移率為4.3×10-3cm2/V*s, 閾值電壓為-9.5 V.
용십팔완기삼록규완(OTS)수식료불동후도적태정동(CuPc)유궤박막정체관기건, 대비태정동후도위15、40、80 nm적3충기건성능후,득도40 nm적태정동기건구유최고재류자천이솔.분석료OTS수식적절연층표면대기건성능적영향,득도적40 nm후도태정동기건재류자천이솔위4.3×10-3cm2/V*s, 역치전압위-9.5 V.
