电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2009年
5期
17-19
,共3页
陈敬艳%刘梅%华杰%尹基哲%李海波
陳敬豔%劉梅%華傑%尹基哲%李海波
진경염%류매%화걸%윤기철%리해파
无机非金属材料%sol-gel法%CoFe2O4/SiO2%结构%磁性能
無機非金屬材料%sol-gel法%CoFe2O4/SiO2%結構%磁性能
무궤비금속재료%sol-gel법%CoFe2O4/SiO2%결구%자성능
采用sol-gel法及经空气中热处理制备了CoFe2O4和CoFe2O4/SiO2纳米材料.利用XRD、SEM和振动样品磁强计(VSM)对样品的结构、晶粒尺寸及磁性能进行了研究.结果表明:SiO2的加入有助于降低CoFe2O4的形成温度,有效抑制CoFe2O4晶粒的长大,并使CoFe2O4的Hc提高.经900 ℃热处理的CoFe2O4/SiO2样品中已不存在杂相Fe2O3;CoFe2O4的晶粒尺寸从无SiO2时的78 nm减小到15 nm;样品的Hc由41.1 kA·m-1提高到73.1 kA·m-1.
採用sol-gel法及經空氣中熱處理製備瞭CoFe2O4和CoFe2O4/SiO2納米材料.利用XRD、SEM和振動樣品磁彊計(VSM)對樣品的結構、晶粒呎吋及磁性能進行瞭研究.結果錶明:SiO2的加入有助于降低CoFe2O4的形成溫度,有效抑製CoFe2O4晶粒的長大,併使CoFe2O4的Hc提高.經900 ℃熱處理的CoFe2O4/SiO2樣品中已不存在雜相Fe2O3;CoFe2O4的晶粒呎吋從無SiO2時的78 nm減小到15 nm;樣品的Hc由41.1 kA·m-1提高到73.1 kA·m-1.
채용sol-gel법급경공기중열처리제비료CoFe2O4화CoFe2O4/SiO2납미재료.이용XRD、SEM화진동양품자강계(VSM)대양품적결구、정립척촌급자성능진행료연구.결과표명:SiO2적가입유조우강저CoFe2O4적형성온도,유효억제CoFe2O4정립적장대,병사CoFe2O4적Hc제고.경900 ℃열처리적CoFe2O4/SiO2양품중이불존재잡상Fe2O3;CoFe2O4적정립척촌종무SiO2시적78 nm감소도15 nm;양품적Hc유41.1 kA·m-1제고도73.1 kA·m-1.
