光学学报
光學學報
광학학보
ACTA OPTICA SINICA
2009年
6期
1591-1595
,共5页
王加贤%王国立%苏培林%郭亨群
王加賢%王國立%囌培林%郭亨群
왕가현%왕국립%소배림%곽형군
激光技术%InGaAsP多量子阱%Si/SiNx多量子阱%被动锁模%Nd%YAG激光器
激光技術%InGaAsP多量子阱%Si/SiNx多量子阱%被動鎖模%Nd%YAG激光器
격광기술%InGaAsP다양자정%Si/SiNx다양자정%피동쇄모%Nd%YAG격광기
采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)法在InP衬底卜低温生长6个周期的InGaAsP多量子阱薄膜,薄膜对1.06μm激光的小信号透过率为23%.该薄膜兼作Nd:YAG激光器的可饱和吸收体及耦合输出镜,实现1.064 μm激光的被动锁模运转,获得平均脉宽23 ps,能量15 mJ的单脉冲序列.采用射频磁控溅射法在石英衬底上制备4个周期的Si/SiNx多量子阱薄膜,样品在氮气环境下以1000℃退火30 min后,插入Nd:YAG激光器腔内,实现1.064μm激光的被动锁模,获得脉宽30 ps的脉冲序列.多量子阱半导体薄膜作为可饱和吸收体实现激光器的被动锁模具有成本低、设计和制作简单、运转稳定和使用方便的优点.
採用金屬有機化學氣相澱積(MOCVD)法在InP襯底蔔低溫生長6箇週期的InGaAsP多量子阱薄膜,薄膜對1.06μm激光的小信號透過率為23%.該薄膜兼作Nd:YAG激光器的可飽和吸收體及耦閤輸齣鏡,實現1.064 μm激光的被動鎖模運轉,穫得平均脈寬23 ps,能量15 mJ的單脈遲序列.採用射頻磁控濺射法在石英襯底上製備4箇週期的Si/SiNx多量子阱薄膜,樣品在氮氣環境下以1000℃退火30 min後,插入Nd:YAG激光器腔內,實現1.064μm激光的被動鎖模,穫得脈寬30 ps的脈遲序列.多量子阱半導體薄膜作為可飽和吸收體實現激光器的被動鎖模具有成本低、設計和製作簡單、運轉穩定和使用方便的優點.
채용금속유궤화학기상정적(MOCVD)법재InP츤저복저온생장6개주기적InGaAsP다양자정박막,박막대1.06μm격광적소신호투과솔위23%.해박막겸작Nd:YAG격광기적가포화흡수체급우합수출경,실현1.064 μm격광적피동쇄모운전,획득평균맥관23 ps,능량15 mJ적단맥충서렬.채용사빈자공천사법재석영츤저상제비4개주기적Si/SiNx다양자정박막,양품재담기배경하이1000℃퇴화30 min후,삽입Nd:YAG격광기강내,실현1.064μm격광적피동쇄모,획득맥관30 ps적맥충서렬.다양자정반도체박막작위가포화흡수체실현격광기적피동쇄모구유성본저、설계화제작간단、운전은정화사용방편적우점.
