人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2010年
5期
1249-1255
,共7页
杨虹%黄文奇%卢贵武%于肇贤
楊虹%黃文奇%盧貴武%于肇賢
양홍%황문기%로귀무%우조현
CNGS%CTGS%电子结构%成键特性%第一性原理
CNGS%CTGS%電子結構%成鍵特性%第一性原理
CNGS%CTGS%전자결구%성건특성%제일성원리
采用基于密度泛函的第一性原理平面波赝势法对CNGS和CTGS基态的几何结构、电子结构和成键特性进行了系统的研究;利用精确计算的能带结构、态密度和所绘制的电荷密度等值线分析了晶体中各元素对总态密度的贡献和杂化特性和晶体中各阳离子的成键强度和特点;排列出各键的强弱顺序并指出C位(Ga-O键)、B位(X-O键)和D位(Si-O键)是晶体压电特性的主要来源;计算了其折射率,并与实验数据进行了比较,计算误差小于9%.
採用基于密度汎函的第一性原理平麵波贗勢法對CNGS和CTGS基態的幾何結構、電子結構和成鍵特性進行瞭繫統的研究;利用精確計算的能帶結構、態密度和所繪製的電荷密度等值線分析瞭晶體中各元素對總態密度的貢獻和雜化特性和晶體中各暘離子的成鍵彊度和特點;排列齣各鍵的彊弱順序併指齣C位(Ga-O鍵)、B位(X-O鍵)和D位(Si-O鍵)是晶體壓電特性的主要來源;計算瞭其摺射率,併與實驗數據進行瞭比較,計算誤差小于9%.
채용기우밀도범함적제일성원리평면파안세법대CNGS화CTGS기태적궤하결구、전자결구화성건특성진행료계통적연구;이용정학계산적능대결구、태밀도화소회제적전하밀도등치선분석료정체중각원소대총태밀도적공헌화잡화특성화정체중각양리자적성건강도화특점;배렬출각건적강약순서병지출C위(Ga-O건)、B위(X-O건)화D위(Si-O건)시정체압전특성적주요래원;계산료기절사솔,병여실험수거진행료비교,계산오차소우9%.
