科技通报
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과기통보
BULLETIN OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
2011年
3期
394-397
,共4页
吴连超%倪亚茹%陆春华%许仲梓
吳連超%倪亞茹%陸春華%許仲梓
오련초%예아여%륙춘화%허중재
氧化物半导体%SnO2%溶剂热法%钐离子
氧化物半導體%SnO2%溶劑熱法%釤離子
양화물반도체%SnO2%용제열법%삼리자
以四氯化锡(SnCl<,4>·5H<,2>O)、氧化钐(Sm<,2>O<,3>)和乙醇为主要原料,采用溶剂热法制备Sm<;3+>离子掺杂的SnO<,2>纳米粉体.应用XRD、Fr-IR、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)等手段对所获得粉体进行了表征.结果表明,溶剂热过程实现了氧化锡的直接晶化,产物为金红石结构.Sm<'3+>离子进入SnO<,2>晶格形成同溶体,随着Sm<'3+>添加量的增大,样品的晶粒减小.对Sm<'3+>离子掺杂二氧化锡纳米粉的紫外可见光谱研究结果表明,Sm<'3+>离子掺杂使得SnO<,2>粉体的吸收带边发生红移,而随着Sm<'3+>进入SnO<,2>晶格量的增大,产物的禁带宽度减小.
以四氯化錫(SnCl<,4>·5H<,2>O)、氧化釤(Sm<,2>O<,3>)和乙醇為主要原料,採用溶劑熱法製備Sm<;3+>離子摻雜的SnO<,2>納米粉體.應用XRD、Fr-IR、紫外-可見漫反射光譜(UV-Vis DRS)等手段對所穫得粉體進行瞭錶徵.結果錶明,溶劑熱過程實現瞭氧化錫的直接晶化,產物為金紅石結構.Sm<'3+>離子進入SnO<,2>晶格形成同溶體,隨著Sm<'3+>添加量的增大,樣品的晶粒減小.對Sm<'3+>離子摻雜二氧化錫納米粉的紫外可見光譜研究結果錶明,Sm<'3+>離子摻雜使得SnO<,2>粉體的吸收帶邊髮生紅移,而隨著Sm<'3+>進入SnO<,2>晶格量的增大,產物的禁帶寬度減小.
이사록화석(SnCl<,4>·5H<,2>O)、양화삼(Sm<,2>O<,3>)화을순위주요원료,채용용제열법제비Sm<;3+>리자참잡적SnO<,2>납미분체.응용XRD、Fr-IR、자외-가견만반사광보(UV-Vis DRS)등수단대소획득분체진행료표정.결과표명,용제열과정실현료양화석적직접정화,산물위금홍석결구.Sm<'3+>리자진입SnO<,2>정격형성동용체,수착Sm<'3+>첨가량적증대,양품적정립감소.대Sm<'3+>리자참잡이양화석납미분적자외가견광보연구결과표명,Sm<'3+>리자참잡사득SnO<,2>분체적흡수대변발생홍이,이수착Sm<'3+>진입SnO<,2>정격량적증대,산물적금대관도감소.