半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
4期
745-750
,共6页
韦文生%王天民%张春熹%李国华%卢励吾
韋文生%王天民%張春熹%李國華%盧勵吾
위문생%왕천민%장춘희%리국화%로려오
(p)nc-Si:H薄膜%(p)nc-Si:H/(n)c-Si异质结%变容二极管
(p)nc-Si:H薄膜%(p)nc-Si:H/(n)c-Si異質結%變容二極管
(p)nc-Si:H박막%(p)nc-Si:H/(n)c-Si이질결%변용이겁관
采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管--Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si:H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构.I-V,C-V,G-f以及DLTS的测试结果表明:其电容变化系数远大于单晶硅线性缓变异质结的电容变化系数,正向导电机制符合隧穿辅助辐射-复合模型,这是nc-Si:H层中nc-Si晶粒的量子效应所致;反向电流主要由异质结中空间电荷区的产生电流决定,且反向漏电流小,反向击穿电压高,表现出较好的整流特性.
採用等離子體增彊化學氣相沉積技術和電子束蒸髮技術製備瞭一種新型的線性緩變異質結變容二極管--Au/Cr閤金(電極)/multi-layer(p)nc-Si:H/(n)c-Si/(電極)Au/Ge閤金結構.I-V,C-V,G-f以及DLTS的測試結果錶明:其電容變化繫數遠大于單晶硅線性緩變異質結的電容變化繫數,正嚮導電機製符閤隧穿輔助輻射-複閤模型,這是nc-Si:H層中nc-Si晶粒的量子效應所緻;反嚮電流主要由異質結中空間電荷區的產生電流決定,且反嚮漏電流小,反嚮擊穿電壓高,錶現齣較好的整流特性.
채용등리자체증강화학기상침적기술화전자속증발기술제비료일충신형적선성완변이질결변용이겁관--Au/Cr합금(전겁)/multi-layer(p)nc-Si:H/(n)c-Si/(전겁)Au/Ge합금결구.I-V,C-V,G-f이급DLTS적측시결과표명:기전용변화계수원대우단정규선성완변이질결적전용변화계수,정향도전궤제부합수천보조복사-복합모형,저시nc-Si:H층중nc-Si정립적양자효응소치;반향전류주요유이질결중공간전하구적산생전류결정,차반향루전류소,반향격천전압고,표현출교호적정류특성.
