半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
5期
481-484
,共4页
吴畅书%田强%刘惠民%王一红%桑丽华
吳暢書%田彊%劉惠民%王一紅%桑麗華
오창서%전강%류혜민%왕일홍%상려화
半导体量子点%界面态%光致发光谱%光吸收谱%玻璃%CdSSe
半導體量子點%界麵態%光緻髮光譜%光吸收譜%玻璃%CdSSe
반도체양자점%계면태%광치발광보%광흡수보%파리%CdSSe
研究了玻璃中半导体CdSSe量子点的界面态发光.在10K温度下,通过PL和吸收光谱实验,研究了半导体CdSSe量子点,并进行了变温测量.分析了半导体量子点的量子尺寸效应、温度对PL和吸收光谱的影响.实验发现PL谱中在1.84eV和1.91eV有两个尖锐的发光峰,且峰位不随量子点尺寸大小变化而漂移,这是来源于与量子点尺寸无关的界面态的发光;同时,界面态的发光强度应与量子点半径成反比,实验结果与之相符.
研究瞭玻璃中半導體CdSSe量子點的界麵態髮光.在10K溫度下,通過PL和吸收光譜實驗,研究瞭半導體CdSSe量子點,併進行瞭變溫測量.分析瞭半導體量子點的量子呎吋效應、溫度對PL和吸收光譜的影響.實驗髮現PL譜中在1.84eV和1.91eV有兩箇尖銳的髮光峰,且峰位不隨量子點呎吋大小變化而漂移,這是來源于與量子點呎吋無關的界麵態的髮光;同時,界麵態的髮光彊度應與量子點半徑成反比,實驗結果與之相符.
연구료파리중반도체CdSSe양자점적계면태발광.재10K온도하,통과PL화흡수광보실험,연구료반도체CdSSe양자점,병진행료변온측량.분석료반도체양자점적양자척촌효응、온도대PL화흡수광보적영향.실험발현PL보중재1.84eV화1.91eV유량개첨예적발광봉,차봉위불수양자점척촌대소변화이표이,저시래원우여양자점척촌무관적계면태적발광;동시,계면태적발광강도응여양자점반경성반비,실험결과여지상부.
