固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2005年
4期
559-563
,共5页
台阶%纽结%沉积%扩散%经验紧束缚近似
檯階%紐結%沉積%擴散%經驗緊束縳近似
태계%뉴결%침적%확산%경험긴속박근사
采用经验紧束缚近似方法计算p(2×2)重构硅(100)表面单层台阶及纽结处的平衡结构并模拟单个硅原子在其上的沉积行为.根据计算绘制出SA台阶、成键SB台阶、未成键SB台阶,以及SB台阶中的纽结等结构附近的等沉积能量图,确定沉积束缚点和一些可能的扩散路径.研究分析表明附加原子难于沉积于SA台阶边壁,但容易穿越SB台阶并生长于台阶边壁或沉积在SB台阶的纽结处以形成晶体生长.这些研究结果对于今后的理论及实验进一步研究原子尺度的半导体工艺制造有较大意义的指导.
採用經驗緊束縳近似方法計算p(2×2)重構硅(100)錶麵單層檯階及紐結處的平衡結構併模擬單箇硅原子在其上的沉積行為.根據計算繪製齣SA檯階、成鍵SB檯階、未成鍵SB檯階,以及SB檯階中的紐結等結構附近的等沉積能量圖,確定沉積束縳點和一些可能的擴散路徑.研究分析錶明附加原子難于沉積于SA檯階邊壁,但容易穿越SB檯階併生長于檯階邊壁或沉積在SB檯階的紐結處以形成晶體生長.這些研究結果對于今後的理論及實驗進一步研究原子呎度的半導體工藝製造有較大意義的指導.
채용경험긴속박근사방법계산p(2×2)중구규(100)표면단층태계급뉴결처적평형결구병모의단개규원자재기상적침적행위.근거계산회제출SA태계、성건SB태계、미성건SB태계,이급SB태계중적뉴결등결구부근적등침적능량도,학정침적속박점화일사가능적확산로경.연구분석표명부가원자난우침적우SA태계변벽,단용역천월SB태계병생장우태계변벽혹침적재SB태계적뉴결처이형성정체생장.저사연구결과대우금후적이론급실험진일보연구원자척도적반도체공예제조유교대의의적지도.
