半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2005年
6期
519-522,526
,共5页
孔令民%蔡加法%陈厦平%朱会丽%吴正云%牛智川
孔令民%蔡加法%陳廈平%硃會麗%吳正雲%牛智川
공령민%채가법%진하평%주회려%오정운%우지천
多层InAs量子点%光致发光%时间分辨谱
多層InAs量子點%光緻髮光%時間分辨譜
다층InAs양자점%광치발광%시간분변보
采用MBE设备生长了多层InAs/GaAs量子点结构,测量了其变温光致发光谱和时间分辨光致发光谱.结果表明多层量子点结构有利于减小发光峰的半高宽,并且可以提高发光峰半高宽和发光寿命的温度稳定性.实验发现,加InGaAs盖层后,量子点发光峰的半高宽进一步减小,最小达到23.6 meV,并且发光峰出现红移.原因可能在于InGaAs盖层减小了InAs岛所受的应力,阻止了In组分的偏析,提高了InAs量子点尺寸分布的均匀性和质量,导致载流子在不同量子点中的迁移效应减弱.
採用MBE設備生長瞭多層InAs/GaAs量子點結構,測量瞭其變溫光緻髮光譜和時間分辨光緻髮光譜.結果錶明多層量子點結構有利于減小髮光峰的半高寬,併且可以提高髮光峰半高寬和髮光壽命的溫度穩定性.實驗髮現,加InGaAs蓋層後,量子點髮光峰的半高寬進一步減小,最小達到23.6 meV,併且髮光峰齣現紅移.原因可能在于InGaAs蓋層減小瞭InAs島所受的應力,阻止瞭In組分的偏析,提高瞭InAs量子點呎吋分佈的均勻性和質量,導緻載流子在不同量子點中的遷移效應減弱.
채용MBE설비생장료다층InAs/GaAs양자점결구,측량료기변온광치발광보화시간분변광치발광보.결과표명다층양자점결구유리우감소발광봉적반고관,병차가이제고발광봉반고관화발광수명적온도은정성.실험발현,가InGaAs개층후,양자점발광봉적반고관진일보감소,최소체도23.6 meV,병차발광봉출현홍이.원인가능재우InGaAs개층감소료InAs도소수적응력,조지료In조분적편석,제고료InAs양자점척촌분포적균균성화질량,도치재류자재불동양자점중적천이효응감약.
