压电调制反射光谱研究GaAs/Al0.29Ga0.71 As单量子阱
압전조제반사광보연구GaAs/Al0.29Ga0.71 As단양자정
Piezomodulated-reflectivity study of GaAs/Al0.29Ga0.71As single quantum well
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2005年 7期 3337-3341 ,共5页

    王茺%陈平平%周旭昌%夏长生%王少伟%陈效双%陆卫

    왕충%진평평%주욱창%하장생%왕소위%진효쌍%륙위

    压电调制反射光谱%单量子阱%分子束外延 壓電調製反射光譜%單量子阱%分子束外延
    압전조제반사광보%단양자정%분자속외연
    报道了压电调制反射测量系统的建立,应用该系统获得了势阱宽度分别为5nm和25nm的两个GaAs/Al0.29Ga0.71As单量子阱的压电调制反射谱.从图谱中可以看出,在室温下能够较容易地分辨出和轻、重空穴相关联的子带跃迁.在阱宽25nm的样品中还观察到了自旋-轨道跃迁.利用有效质量理论近似计算,对量子阱样品的图谱结构进行了指认,发现实验值和计算值能够较好地符合.
    보도료압전조제반사측량계통적건립,응용해계통획득료세정관도분별위5nm화25nm적량개GaAs/Al0.29Ga0.71As단양자정적압전조제반사보.종도보중가이간출,재실온하능구교용역지분변출화경、중공혈상관련적자대약천.재정관25nm적양품중환관찰도료자선-궤도약천.이용유효질량이론근사계산,대양자정양품적도보결구진행료지인,발현실험치화계산치능구교호지부합.
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