微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2011年
3期
411-415
,共5页
刘明亮%明鑫%欧雪春%周泽坤%张波
劉明亮%明鑫%歐雪春%週澤坤%張波
류명량%명흠%구설춘%주택곤%장파
LDO%过温保护%折返电流限%频率补偿
LDO%過溫保護%摺返電流限%頻率補償
LDO%과온보호%절반전류한%빈솔보상
提出了一种带过温保护电路和折返电流限的LDO,其主环路采用密勒补偿与零点补偿相结合的补偿方式.电路设计基于CSMC的1 μm CDMOS工艺,用Hspice进行仿真验证.仿真结果表明,过温保护电路可以实现对电路的保护,并有25℃的迟滞温度;折返电流限可以将过流时的输出电流限制为一个较小的值,并在输出短路时使输出电流保持在30 mA左右;LDO的主环路在轻载和重载下都具有很好的稳定性.
提齣瞭一種帶過溫保護電路和摺返電流限的LDO,其主環路採用密勒補償與零點補償相結閤的補償方式.電路設計基于CSMC的1 μm CDMOS工藝,用Hspice進行倣真驗證.倣真結果錶明,過溫保護電路可以實現對電路的保護,併有25℃的遲滯溫度;摺返電流限可以將過流時的輸齣電流限製為一箇較小的值,併在輸齣短路時使輸齣電流保持在30 mA左右;LDO的主環路在輕載和重載下都具有很好的穩定性.
제출료일충대과온보호전로화절반전류한적LDO,기주배로채용밀륵보상여영점보상상결합적보상방식.전로설계기우CSMC적1 μm CDMOS공예,용Hspice진행방진험증.방진결과표명,과온보호전로가이실현대전로적보호,병유25℃적지체온도;절반전류한가이장과류시적수출전류한제위일개교소적치,병재수출단로시사수출전류보지재30 mA좌우;LDO적주배로재경재화중재하도구유흔호적은정성.
